EPC推出了40 V、1.3 m?的氮化鎵場效應(yīng)晶體管 （eGaN?FET），器件型號為EPC2067，專為設(shè)計人員而設(shè)。EPC2067比MOSFET更小、更高效、更可靠，適用于高性能且空間受限的應(yīng)用。
本文引用地址：http://www.eepw.com.cn/article/202110/429245.htm
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）是增強型硅基氮化鎵功率晶體管和集成電路的全球領(lǐng)導者。新推的EPC2067（典型值為 1.3 mΩ、40 V）擴大了可選的低壓器件，可立即供貨。
EPC2067非常適合需要高功率密度的應(yīng)用，包括48 V-54 V輸入服務(wù)器。較低的柵極電荷和零反向恢復損耗可實現(xiàn)1 MHz及更高頻率的高頻操作、高效并在9.3 mm2 的微小占位面積內(nèi)，實現(xiàn)高功率密度。
EPC公司首席執(zhí)行官兼共同創(chuàng)辦人Alex Lidow 表示：“EPC2067器件專為從40 V-60 V轉(zhuǎn)至12 V的LLC DC/DC轉(zhuǎn)換器的次級側(cè)而設(shè)計。與上一代40 V的GaN FET相比，這款40 V器件具有更高的性能和成本效益，從而讓設(shè)計師可以在更低的成本下，實現(xiàn)更高的效率和功率密度”。
開發(fā)板
EPC90138開發(fā)板的最大器件電壓為40 V、最大輸出電流為40 A，配備板載柵極驅(qū)動器的半橋器件，采用了EPC2067 eGaN FET。這款 2“x 2”（50.8 mm x 50.8 mm） 的電路板專為實現(xiàn)最佳開關(guān)性能而設(shè)計，并包含所有關(guān)鍵元件，讓工程師易于評估EPC2067器件。
一個1,000顆的卷盤的EPC2067的單價為2.69美元。
