中國臺(tái)灣相關(guān)部門昨舉行院會(huì)由科技會(huì)報(bào)辦公室報(bào)告「美中科技戰(zhàn)下臺(tái)灣半導(dǎo)體前瞻科研及人才布局」，蘇貞昌昨表示，需提早布局?jǐn)U大臺(tái)灣產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢；行政院科會(huì)辦說，將提前布局十二吋晶圓制造的利基設(shè)備，期望在2023年前，生產(chǎn)小于一納米的半導(dǎo)體，也要掌握關(guān)鍵化學(xué)品自主、確保材料優(yōu)化參數(shù)不外流，并建立在地戰(zhàn)略供應(yīng)鏈。
政府發(fā)言人羅秉成會(huì)后轉(zhuǎn)述指出，蘇貞昌表示，臺(tái)灣早已成為全球第一的半導(dǎo)體聚落，未來要如何維持及擴(kuò)大供應(yīng)鏈優(yōu)勢、確保產(chǎn)業(yè)人才供應(yīng)無虞，都需提早布局。
以臺(tái)積、日月光為核心打造南部半導(dǎo)體S廊帶
美中貿(mào)易沖突升溫，為強(qiáng)化、維持臺(tái)灣半導(dǎo)體優(yōu)勢，行政院科技會(huì)報(bào)辦公室昨（15）日表示，將朝「設(shè)備」及「材料」兩方向著手，協(xié)助臺(tái)灣廠商提前布局12吋晶圓制造利基設(shè)備，并正在規(guī)劃推動(dòng)高雄半導(dǎo)體材料專區(qū)，以建立南部半導(dǎo)體材料「S」廊帶。
美中貿(mào)易戰(zhàn)、科技戰(zhàn)持續(xù)升溫，在車用芯片荒后，美國政府更加重視半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)；美國總統(tǒng)拜登執(zhí)政后，前聯(lián)邦參議員陶德率團(tuán)訪臺(tái)，昨日會(huì)見臺(tái)灣地區(qū)領(lǐng)導(dǎo)人，提及要加強(qiáng)臺(tái)美多方合作。而行政院會(huì)昨天也特別安排科會(huì)辦就「美中科技戰(zhàn)下臺(tái)灣半導(dǎo)體前瞻科研及人才布局」進(jìn)行報(bào)告。
科會(huì)辦指出，近來半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從材料、設(shè)備、技術(shù)、芯片及產(chǎn)能都已成國際競合焦點(diǎn)；美國擬以500億美元扶植芯片制造業(yè)、限制半導(dǎo)體技術(shù)與設(shè)備輸往中國大陸；大陸也不甘示弱宣布投入第三代半導(dǎo)體研發(fā)；歐盟則有意搶進(jìn)芯片制造市場等。
2030年半導(dǎo)體世代為超摩爾定律時(shí)代，IC應(yīng)用邁向多元化與極致效能，更進(jìn)一步跨向「 （埃）尺度」（1nm）。
科會(huì)辦表示，臺(tái)灣要從制造、人才、技術(shù)與資源三方向突圍，擴(kuò)大臺(tái)灣半導(dǎo)體供應(yīng)鏈優(yōu)勢。
在產(chǎn)業(yè)層級，政府將持續(xù)壯大串聯(lián)西部硅谷帶半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)聚落，擴(kuò)大代工制造競爭優(yōu)勢；國家層級，要確保半導(dǎo)體人才供應(yīng)，例如透過「創(chuàng)新條例」立法，催生半導(dǎo)體學(xué)院；全球?qū)蛹墸瑒t透過設(shè)備及材料兩方向，掌握戰(zhàn)略資源與技術(shù)。
在設(shè)備面，要協(xié)助臺(tái)灣廠商提前布局12吋晶圓制造利基設(shè)備，朝向化合物半導(dǎo)體發(fā)展，盼在2030年之前能生產(chǎn)「埃」尺度半導(dǎo)體；于材料面，掌握關(guān)鍵化學(xué)品自主、確保材料優(yōu)化參數(shù)不外流，并建立在地戰(zhàn)略供應(yīng)鏈。
材料方面，則規(guī)劃推動(dòng)高雄半導(dǎo)體材料專區(qū)，要串連南科、路竹、橋頭、楠梓、大社、仁武、大寮、林園、小港（大林埔）等園區(qū)，以臺(tái)積電、日月光、華邦、穩(wěn)懋等半導(dǎo)體廠為核心，建立南部半導(dǎo)體材料「S」廊帶。
科會(huì)辦表示，科技部也逐步更新科學(xué)園區(qū)標(biāo)準(zhǔn)廠及開發(fā)新設(shè)園區(qū)，例如今年起至2035年，投入272.57億元經(jīng)費(fèi)更新竹科第三至五期標(biāo)準(zhǔn)廠房。
預(yù)期效益，包括廠房單元數(shù)可從88提升至196單元，總樓地板面積從5.3萬多平方公尺擴(kuò)增至36.6萬多平方公尺，預(yù)計(jì)可引進(jìn)5,848就業(yè)人口、創(chuàng)造年產(chǎn)值411.82億元。