Vishay推出新型650 V SiC肖特基二極管，提升高頻應用能效
器件額定電流4 A~40 A，采用MPS結(jié)構(gòu)設計，降低開關損耗和溫變影響
2021-01-28
來源：Vishay
賓夕法尼亞、MALVERN — 2021年1月28日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出十款新型650 V 碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN Schottky（MPS）結(jié)構(gòu)設計，通過降低開關損耗提升高頻應用能效，不受溫度變化的影響—從而使二極管能夠在更高的溫度下工作。
日前發(fā)布的MPS二極管可屏蔽肖特基勢壘產(chǎn)生的電場，減少漏電流，同時通過空穴注入提高浪涌電流能力。與硅肖特基器件相比，新型二極管處理電流相同的情況下，正向壓降僅略有上升，堅固程度明顯提高。
器件適用于服務器、電信設備、UPS和太陽能逆變器等應用領域的功率因數(shù)校正（PFC）續(xù)流、升降壓續(xù)流和LLC轉(zhuǎn)換器輸出整流，為設計人員實現(xiàn)系統(tǒng)優(yōu)化提供高靈活性。二極管采用2L TO-220AC和TO-247AD 3L封裝，額定電流為4 A~40 A，可在+175 °C高溫下工作。
器件規(guī)格表：
新型SiC二極管現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，供貨周期為10周。
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