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Vishay推出具備優異導通性能且經過AEC-Q101認證的100 V 汽車級P溝道MOSFET

業內首款采用鷗翼引線結構5 mm x 6 mm 緊湊型PowerPAK® SO-8L封裝器件,導通電阻僅為30 mΩ
2021-01-11
來源:Vishay
關鍵詞: Vishay AEC-Q101 MOSFET 封裝

賓夕法尼亞、MALVERN — 2021年1月11日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出新款通過AEC-Q101認證的100 V p溝道TrenchFET? MOSFET---SQJ211ELP,用以提高汽車應用功率密度和能效。Vishay Siliconix SQJ211ELP不僅是業內首款鷗翼引線結構5 mm x 6 mm 緊湊型PowerPAK? SO-8L封裝器件,而且10 V條件下其導通電阻僅為30 mW,達到業內優異水平。

 

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日前發布的新款汽車級MOSFET與最接近的DPAK和D2PAK封裝競品器件相比,導通電阻分別降低26 %和46 %,占位面積分別減小50 %和76 %。SQJ211ELP低導通電阻有助于降低導通功耗,從而節省能源,10 V條件下優異的柵極電荷僅為45 nC,減少柵極驅動損耗。

這款新型MOSFET可在+175°C高溫下工作,滿足反向極性保護、電池管理、高邊負載開關和LED照明等汽車應用牢固性和可靠性要求。此外,SQJ211ELP鷗翼引線結構還有助于提高自動光學檢測(AOI)功能,消除機械應力,提高板級可靠性。

器件100 V額定值滿足12 V、24 V和48 V系統多種常用輸入電壓軌所需安全裕度。此外,作為p溝道MOSFET,SQJ211ELP可簡化柵極驅動設計,無需配置n溝道器件所需電荷泵。 MOSFET采用無鉛(Pb)封裝、無鹵素、符合RoHS標準,經過100 % Rg和UIS測試。

SQJ211ELP現可提供樣品并已實現量產,供貨周期為14周。


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