KitGuru和phoneArena報導指出，在本月發布的最新版GNU編譯器中，支持ARM伙伴開發的定制核心名單中三星Exynos M1（外傳M代表Mongoose）赫然在目。果然，三星Exynos 7420的大獲成功，使其有信心擴大自研芯片的陣容，希望借以提升三星系統芯片事業的整體競爭力。

　　據傳為應對高通的Krait系列，三 星新品取名Mongoose（貓鼬），為Krait（環蛇）的天敵。據目前已知消息可知，Exynos M1采用與ARMv8-A核心相容的定制化核心，不再使用ARM Cortex-A72，支持64位。同時采用14nm工藝制程，最高時鐘在2.3GHz，據稱其在GeekBeanch 3跑分中單核成績達到2200，比目前三星Exynos 7420竟多出45%。

　 　由于三星是異構系統架構（HSA）的創始成員，有可能與HSA相容，使處理器包括CPU 、GPU與DSP等核心架構各司其職，使功耗應用更合理、性能得以最大化。Exynos M1或將成為三星Mongoose 處理器的首款產品。GNU編譯器支持Exynos M1，不僅說明這一芯片的存在性，還說明三星正在內部測試。軟件開發商通常會在芯片量產前的9~12個月拿到首批樣品，若依照慣例三星明年3、4月間發布 新旗艦機型，也不排除用在Galaxy S7的可能性。

　　一直以來，三星從未停止過自研芯片的腳步，尤其看到蘋果A系列處理器大獲成功且 擺脫第三方廠商的控制之后。從2009年開始三星便在韓國市場銷售的智能手機上搭載自研AP芯片，包括Galaxy Note 4都采用高通和Exynos雙平臺并行的形式，只是韓國市場容量相對有限，自研芯片的比例仍舊很低。

　　三星最新發布的Galaxy S6和Galaxy S6 Edge首次拋棄高通平臺，選用三星系統LSI研發的Exynos 7420，采用三星14nm FinFET工藝制造，性能和功耗表現突出，頗受業內好評。尤其制程工藝首次超越臺積電，吸引到蘋果等客戶的晶圓代工訂單增加，更讓三星信心十足。

　 　Exynos 7420此次在Galaxy S6中的獨挑大梁，表面上是因為高通驍龍810的過熱問題，但從深層次角度來看，三星的14nm FinFET工藝走在臺積電之前，已然做足充分的準備，過熱之說只作”東風”之勢。同樣在ArsTechnica和Primate Labs團隊的測試結果中我們也能看出，高通驍龍810的表現遠遜色于三星Exynos 7420。

　 　業界消息顯示，三星旗下的系統 LSI 部門從去年開始累積單芯片領域know-how，將結合應用處理器和 Modem，發布功能更強大的芯片。據悉三星總裁李在镕親自下令要求三星提升半導體設計能力，去年已推出適用于低階智能手機的SoC芯片，如今 Exynos M1也許將成為三星SoC之路的初次嘗試。

　　Susquehanna International Group分析師Mehdi Hosseini發表研究報告指出，三星已經成功拉高了14納米制程工藝的產能，良率超過70%。他認為三星在14納米階段，不但品質能與臺積電媲美，且 晶圓報價還比臺積電低。這一消息表示，三星解決了14納米工藝產能的問題，剩下的只需做好客戶的產能調配即可。

　　Korea Times消息稱，三星預計Galaxy S6與Galaxy S6 Edge的銷量可能將超過7000萬部，Galaxy S6與Galaxy S6 Edge將成為最受歡迎的Galaxy系列智能手機。Galaxy S6系列的火熱也給高通帶來巨大困擾，為挽回三星這一客戶，高通最近將驍龍820的訂單委由三星代工，希望加強與三星在芯片代工業務上的合作，以換取三星 下一代Galaxy手機采用高通產品。