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SK海力士集中與選擇策略 聚焦三大領域

2015-03-19

       SK海力士(SK Hynix)決定采取選擇與集中策略,聚焦于20納米(nm)微細制程DRAM、三階儲存單元(Triple-Level Cell;TLC)的NAND Flash技術,以及固態硬碟(SSD)等優勢領域。較弱勢的系統芯片方面,將集中發展CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor;CIS)。

  據ET News報導,日前SK海力士社長樸星昱在創下史上最高業績紀錄之際,反而在組織內部強調危機意識,透過員工電子郵件與公司內部電視等管道,不斷提醒現在不是放心的時刻,應透過強化根本競爭力,建立不會輕易被市場動搖的SK海力士獨家優勢領域。

  SK海力士2015年的事業方向也與樸星昱的論點結合,比起在全新領域投資發發事業,更致力于提升公司固有的基礎競爭力。

  首先在DRAM領域,SK海力士為全球第二大DRAM業者,市占率27.3%,僅次于三星電子(Samsung Electronics)的40.0%。而2015年以提升市占率為主要目標,致力于提升制程技術以增強成本競爭力。

  因此正全力實現20納米制程量產技術,預定在上半年正式應用于生產DRAM;在市場高速成長的Mobile DRAM領域,也將積極推出低功耗(LP)DDR4產品,以吸引高階市場客戶。

  NAND Flash方面,SK海力士以上半年正式量產TLC產品為首要課題,同時也致力于擴大供應SSD等解決方案,以提高收益性。SK海力士的DRAM部門雖然 位列全球第二名,但在NAND Flash上卻屈居第五,市占率僅約10%,因此推升排名也被SK海力士視為2015年的優先課題之一。

  而相對弱勢的系統芯片部門,則以發展CIS為重點。SK海力士自2007年開始開發CIS,2015年計劃推出高畫素等級產品,目標是在年底前創造出可見的成果。

  據了解,SK海力士對于高附加價值產品,如應用處理器(AP)或是電力半導體等領域,并沒有正式的發展計劃。公司有關人士表示,系統芯片的項目多樣,也是終究要培養的領域,不過短期內將會集中發展市場成長性佳、且公司有把握做好的領域。

  業界人士表示,半導體事業的特性正是成敗在一念之間,可能因一個對的決定奪得豐碩戰果,也可能因一次的錯誤投資就遭遇巨大虧損。SK海力士尤其需要策略善用現有優勢,以存儲器為中心擴大市占率并壓制海外競爭業者。


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