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解決方案

MOS管基礎(chǔ)知識(shí)與應(yīng)用[模擬設(shè)計(jì)][汽車電子]

MOSFET管是FET的一種（另一種是JFET），可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型，P溝道或N溝道共4種類型，但實(shí)際應(yīng)用的只有增強(qiáng)型的N溝道MOS管和增強(qiáng)型的P溝道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是這兩種。

發(fā)表于：10/12/2017 2:29:21 PM

MOS管的好壞判斷[模擬設(shè)計(jì)][汽車電子]

主板上基本上都是N溝道的MOS管，一般我們的測量方法如下：黑表筆接D紅表筆接S 有500歐姆左右的電阻。然后紅黑對調(diào)：紅筆接D黑筆接S 萬用表顯示"1"，一般這樣我們就可以認(rèn)為管子是好的。

發(fā)表于：10/12/2017 2:15:27 PM

三極管和MOS管的區(qū)別是什么[模擬設(shè)計(jì)][其他]

實(shí)際上說電流控制慢，電壓控制快這種理解是不對的。要真正理解得了解雙極晶體管和MOS晶體管的工作方式才能明白。三極管是靠載流子的運(yùn)動(dòng)來工作的，以 npn管射極跟隨器為例，當(dāng)基極加不加電壓時(shí)，

發(fā)表于：10/12/2017 2:13:16 PM

為何IT8300給電源測試系統(tǒng)提供了最佳方案？[電源技術(shù)][工業(yè)自動(dòng)化]

電子負(fù)載常用于在電源或其他電能轉(zhuǎn)換設(shè)備的產(chǎn)品設(shè)計(jì)和生產(chǎn)試驗(yàn)中，包括電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和逆變器。負(fù)載一般有兩種形式：由功率電阻組成的基礎(chǔ)負(fù)載和使用主動(dòng)電路用以動(dòng)態(tài)模擬負(fù)載變化的電子負(fù)載。負(fù)載常用于老化測試進(jìn)而確定產(chǎn)品早期故障，作為生產(chǎn)測試的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。電子負(fù)載常被整合到自動(dòng)測試系統(tǒng)中。測試報(bào)告要么被存在本地或者通過電腦接口上傳，這樣測試數(shù)據(jù)可以被進(jìn)一步處理或用于存檔。

發(fā)表于：10/12/2017 1:26:00 PM

晶體管簡介[模擬設(shè)計(jì)][其他]

嚴(yán)格意義上講，晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場效應(yīng)管、可控硅等。晶體管有時(shí)多指晶體三極管。

發(fā)表于：10/11/2017 2:57:00 PM

電動(dòng)自行車控制器系統(tǒng)構(gòu)架及其發(fā)展趨勢[電源技術(shù)][汽車電子]

本文介紹了通用電動(dòng)自行車控制器系統(tǒng)構(gòu)架和基本的工作原理。同時(shí)本文從功率MOSFET管驅(qū)動(dòng)、電流檢測、PCB設(shè)計(jì)和整機(jī)的防護(hù)四個(gè)方面詳細(xì)的探討了進(jìn)一步提高電動(dòng)自行車控制器的可靠性的設(shè)計(jì)方法及其注意的細(xì)節(jié)。最后，給出了電動(dòng)車控制器的電源電池，集成的功率元件模塊的發(fā)展趨勢。

發(fā)表于：10/11/2017 2:48:01 PM

電動(dòng)自行車用電機(jī)控制器原理與維修（A）[模擬設(shè)計(jì)][汽車電子]

電動(dòng)車用電機(jī)控制器近年來的發(fā)展速度之快，使人難以想象，操作上越來越“傻瓜”化，而顯示則越來越復(fù)雜化。比如，電動(dòng)車車速的控制已經(jīng)發(fā)展到“巡航鎖定”；驅(qū)動(dòng)方面，有的同時(shí)具有電動(dòng)性能和助力功能，如果轉(zhuǎn)換到助力狀態(tài)，借助鏈條張力測力器，或中軸扭力傳感器，只要用腳踏動(dòng)腳蹬，便可執(zhí)行助力或確定助力的大小。這期本刊開始給您講述控制器的知識(shí)，讓您對控制器有一個(gè)更全面的了解。

發(fā)表于：10/11/2017 2:46:20 PM

mosfet的驅(qū)動(dòng)和保護(hù)[模擬設(shè)計(jì)][汽車電子]

電力場效應(yīng)管是單極型壓控器件，開關(guān)速度快。但存在極間電容，器件功率越大，極間電容也越大。為提高其開關(guān)速度，要求驅(qū)動(dòng)電路必須有足夠高的輸出電壓、較高的電壓上升率、較小的輸出電阻。另外，還需要一定的柵極驅(qū)動(dòng)電流。

發(fā)表于：10/11/2017 2:29:21 PM

mosfet的安全工作區(qū)[模擬設(shè)計(jì)][其他]

正向偏置安全工作區(qū)，如圖4所示。它是由最大漏源電壓極限線I、最大漏極電流極限線Ⅱ、漏源通態(tài)電阻線Ⅲ和最大功耗限制線Ⅳ，4條邊界極限所包圍的區(qū)域。圖中示出了4種情況：直流DC，脈寬10ms，1ms,10μs。它與GTR安全工作區(qū)比有2個(gè)明顯的區(qū)別：①因無二次擊穿問題，所以不存在二次擊穿功率PSB限制線；②因?yàn)樗☉B(tài)電阻較大，導(dǎo)通功耗也較大，所以不僅受最大漏極電流的限制，而且還受通態(tài)電阻的限制。

發(fā)表于：10/11/2017 2:24:19 PM

mosfet的動(dòng)態(tài)特性和主要參數(shù)[模擬設(shè)計(jì)][其他]

動(dòng)態(tài)特性主要描述輸入量與輸出量之間的時(shí)間關(guān)系，它影響器件的開關(guān)過程。由于該器件為單極型，靠多數(shù)載流子導(dǎo)電，因此開關(guān)速度快、時(shí)間短，一般在納秒數(shù)量級(jí)。Power MOSFET的動(dòng)態(tài)特性。

發(fā)表于：10/11/2017 2:22:00 PM

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