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關(guān)于IGBT導(dǎo)通延遲時間的精確測量方法
發(fā)表于：7/11/2011 12:00:00 AM
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理解功率MOSFET的開關(guān)損耗
發(fā)表于：7/11/2011 12:00:00 AM
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一種反激變換器的RCD吸收回路設(shè)計與實現(xiàn)
發(fā)表于：6/27/2011 12:00:00 AM
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Diodes 全新 MOSFET 組合可減少直流電機(jī)損耗
發(fā)表于：6/23/2011 12:37:13 PM
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同步降壓功率級中MOSFET電阻比的正確選擇
發(fā)表于：6/22/2011 12:00:00 AM
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說出你的故事：中國IC設(shè)計及應(yīng)用創(chuàng)新案例
發(fā)表于：6/21/2011 1:19:36 PM
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IGBT系統(tǒng)的介紹
發(fā)表于：6/19/2011 12:00:00 AM
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IR新款超小型PQFN2x2功率MOSFET為低功率應(yīng)用擴(kuò)展封裝組合
發(fā)表于：6/15/2011 2:53:29 PM
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飛兆半導(dǎo)體功率級非對稱雙MOSFET器件滿足電源設(shè)計人員的高功率密度和易于設(shè)計要求
發(fā)表于：6/14/2011 12:51:33 PM
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同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇
發(fā)表于：6/14/2011 12:00:00 AM
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混合動力電動車應(yīng)用中大功率器件的五大要素
發(fā)表于：6/10/2011 12:00:00 AM
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大功率IGBT器件應(yīng)用中常見問題解決方法
發(fā)表于：6/9/2011 12:00:00 AM
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電源設(shè)計小貼士31：同步降壓MOSFET電阻比的正確選擇
發(fā)表于：6/9/2011 12:00:00 AM
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自制電源變壓器的MOS場效應(yīng)管逆變器
發(fā)表于：6/3/2011 12:01:24 PM
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英飛凌節(jié)能芯片以高于國際標(biāo)準(zhǔn)的出色性能幫助全球降低能耗
發(fā)表于：6/1/2011 2:54:03 PM
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恩智浦NextPower MOSFET以行業(yè)最低RDS (on) 全面提升效率
發(fā)表于：5/30/2011 10:08:44 AM
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英飛凌推出市場領(lǐng)先的集成快速體二極管的650V CoolMOS? CFD2產(chǎn)品
發(fā)表于：5/30/2011 9:37:09 AM
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Diodes推出操作運行溫度低于大型封裝器件的超小型MOSFET
發(fā)表于：5/27/2011 11:19:27 AM
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saber下MOSFET驅(qū)動仿真實例
發(fā)表于：5/25/2011 12:00:00 AM
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Marvell推出業(yè)界首款單芯片雙通道可調(diào)光LED照明驅(qū)動芯片
發(fā)表于：5/24/2011 11:13:09 AM
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IR 推出采用新型 WideLead 封裝的車用 MOSFET 系列，可減少 50% 引線電阻，同時提高 30% 電流
發(fā)表于：5/24/2011 10:42:35 AM
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IR推出采用新型WideLead TO-262封裝的車用MOSFET系列
發(fā)表于：5/24/2011 12:00:00 AM
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汽車電子功率MOSFET解決方案
發(fā)表于：5/17/2011 12:00:00 AM
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TI TPS24720 2.5V-18V熱插拔控制方案
發(fā)表于：5/13/2011 12:00:00 AM
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Diodes全新DFN3020封裝MOSFET節(jié)省七成空間
發(fā)表于：5/12/2011 12:41:37 PM
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高壓MOSFET選擇技巧
發(fā)表于：5/11/2011 12:00:00 AM
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Vishay Siliconix 推出工作頻率超過1MHz的高效集成DrMOS解決方案
發(fā)表于：5/10/2011 12:31:55 PM
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IR 推出優(yōu)化版車用 DirectFET®2 功率 MOSFET 芯片組， 適合高功率密度和高效率 DC-DC 應(yīng)用
發(fā)表于：5/3/2011 1:33:54 PM
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功率器件供應(yīng)緊張問題到今年下半年有望改善
發(fā)表于：4/26/2011 12:00:00 AM
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走向環(huán)保：提高反向轉(zhuǎn)換器效率
發(fā)表于：4/20/2011 12:00:00 AM
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