電源工程師一直面對減小應用空間和提高功率密度的兩個主要挑戰(zhàn)，而在筆記本電腦、負載點、服務器、游戲和電信應用中，上述兩點尤為重要。為了幫助設(shè)計人員應對這些挑戰(zhàn)，全球領(lǐng)先的高性能功率和便攜產(chǎn)品供應商飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)開發(fā)出FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET模塊。
　
　　FDMS36xxS系列器件在PQFN封裝中結(jié)合了控制和同步MOSFET，以及一個肖特基體二極管。這些器件的開關(guān)節(jié)點已獲內(nèi)部連接，能夠輕易進行同步降壓轉(zhuǎn)換器的布局和走線。控制MOSFET(Q1)和同步MOSFET(SyncFET™)(Q2)經(jīng)專門設(shè)計，為高達30A的輸出電流實現(xiàn)最佳功效。FDMS36xxS系列將上述器件集成在一個模塊中，可替代兩個或更多的5mm x 6mm PQFN、S08和DPAK封裝，有效減少線路板空間。
　
　　FDMS36XXS系列產(chǎn)品采用飛兆半導體先進的電荷平衡架構(gòu)(屏蔽柵極技術(shù))和先進封裝技術(shù)，可在高性能計算的額定擊穿電壓下，獲得低于2mΩ的業(yè)界領(lǐng)先低端RDS(ON) 。該系列產(chǎn)品經(jīng)過優(yōu)化，以便最大限度地減小300kHz至600KHz范圍的綜合傳導損耗和開關(guān)損耗，為負載點和多相同步降壓DC-DC應用帶來可靠的最高功效。
　　
　　FDMS36xxS系列功率級非對稱雙MOSFET使用獨特的屏蔽電壓調(diào)制架構(gòu)和超低源極電感封裝設(shè)計，具有低開關(guān)噪聲、低設(shè)計變化敏感度和較高的設(shè)計可靠性。低開關(guān)噪聲可以省去需要外部緩沖器或柵極電阻的緩減設(shè)計，從而降低設(shè)計BOM成本并且節(jié)省額外的線路板空間。
　
　　FDMS36xxS系列器件目前包括：FDMS3602S和FDMS3604AS PowerTrench®功率級非對稱N溝道雙MOSFET。飛兆半導體將會根據(jù)研究和客戶需求增添更多的器件。兩款FDMS36xxS系列器件均滿足RoHS標準要求。
　　
　　這些非對稱結(jié)構(gòu)功率級雙MOSFET模塊是飛兆半導體全面廣泛的先進MOSFET產(chǎn)品系列的組成部分，為電源設(shè)計人員提供了適用于關(guān)鍵任務的高效信息處理設(shè)計的全面解決方案。要了解最新功率級產(chǎn)品信息，請訪問公司網(wǎng)頁www.fairchildsemi.com/powerstage。
　
　　飛兆半導體： 卓越技術(shù)助您實現(xiàn)成功！
　
價格(訂購1,000個):
　　FDMS3602S 的單價為1.86美元
　　FDMS3604AS的單價為1.62美元
　
供貨: 現(xiàn)提供樣品
　
交貨期 ：收到訂單后8至10周