美光 相關(guān)文章(428篇)
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美光：已基本完成2025年HBM內(nèi)存供應(yīng)談判
發(fā)表于：5/23/2024 8:38:21 AM
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機(jī)構(gòu)：2024年底前HBM將占先進(jìn)制程比例為35%
發(fā)表于：5/21/2024 8:50:16 AM
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HBM4內(nèi)存競(jìng)爭(zhēng)已達(dá)白熱化
發(fā)表于：5/15/2024 8:39:14 AM
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汽車(chē)存儲(chǔ)趨向集中化，美光四端口SSD引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展
發(fā)表于：5/13/2024 9:47:21 AM
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美光率先出貨用于 AI 數(shù)據(jù)中心的關(guān)鍵內(nèi)存產(chǎn)品
發(fā)表于：5/9/2024 4:52:04 PM
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美光印度封測(cè)工廠將于2025上半年開(kāi)始出貨
發(fā)表于：5/7/2024 8:50:14 AM
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美光率先量產(chǎn)面向客戶(hù)端和數(shù)據(jù)中心的 200+ 層 QLC NAND 產(chǎn)品
發(fā)表于：4/29/2024 10:01:18 AM
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美光獲得美國(guó)至多61.4億美元直接補(bǔ)貼和75億美元貸款
發(fā)表于：4/26/2024 8:59:35 AM
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美光下周有望獲批超60億美元芯片法案撥款
發(fā)表于：4/19/2024 9:00:34 AM
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美光宣布量產(chǎn)232層QLC NAND閃存
發(fā)表于：4/18/2024 8:52:54 AM
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美光推出全球首款四端口 SSD
發(fā)表于：4/10/2024 5:10:00 PM
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美光計(jì)劃二季度針對(duì)DRAM內(nèi)存和固態(tài)硬盤(pán)產(chǎn)品調(diào)漲 25%
發(fā)表于：4/9/2024 11:23:21 PM
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美光投資43億元擴(kuò)建西安封裝和測(cè)試工廠
發(fā)表于：3/28/2024 9:15:05 AM
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美光展示MCRDIMM DDR5-8800內(nèi)存模塊
發(fā)表于：3/25/2024 8:59:05 AM
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美光預(yù)估AI時(shí)代旗艦手機(jī)DRAM內(nèi)存用量將提升50%~100%
發(fā)表于：3/22/2024 9:00:31 AM
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美光：HBM內(nèi)存消耗3倍晶圓量
發(fā)表于：3/22/2024 9:00:19 AM
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消息稱(chēng)HBM4標(biāo)準(zhǔn)放寬 三星、SK海力士推遲引入混合鍵合技術(shù)
發(fā)表于：3/11/2024 9:00:00 AM
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美光計(jì)劃部署納米印刷技術(shù)以降低DRAM芯片生產(chǎn)成本
發(fā)表于：3/6/2024 9:00:46 AM
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南亞內(nèi)存20nm技術(shù)被盜損失數(shù)十億
發(fā)表于：3/5/2024 9:30:28 AM
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美光推出業(yè)界領(lǐng)先的緊湊封裝型 UFS
發(fā)表于：2/29/2024 5:02:57 PM
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美國(guó)法院裁定：福建晉華“不存在經(jīng)濟(jì)間諜活動(dòng)”
發(fā)表于：2/29/2024 9:30:00 AM
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美光推出緊湊封裝型UFS 4.0
發(fā)表于：2/29/2024 9:30:00 AM
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美光發(fā)布最小尺寸UFS4.0手機(jī)存儲(chǔ)芯片
發(fā)表于：2/28/2024 9:30:17 AM
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美光宣布量產(chǎn)24GB的HBM3E，將用于英偉達(dá)H200
發(fā)表于：2/27/2024 10:22:30 AM
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HBM供不應(yīng)求：SK海力士售罄！美光售罄！
發(fā)表于：2/26/2024 10:03:03 AM
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1c納米內(nèi)存競(jìng)爭(zhēng)：三星計(jì)劃增加EUV使用，美光將引入鉬、釕材料
發(fā)表于：2/4/2024 10:21:00 AM
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三星宣布開(kāi)發(fā)280層QLC閃存：M.2 SSD可達(dá)16TB！
發(fā)表于：1/30/2024 9:42:49 AM
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美光率先上市基于LPDDR5X的 LPCAMM2內(nèi)存模塊
發(fā)表于：1/19/2024 9:53:00 AM
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消息稱(chēng)英偉達(dá)已向SK海力士和美光預(yù)購(gòu)大量HBM3內(nèi)存
發(fā)表于：1/4/2024 10:39:10 AM
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消息稱(chēng)三星和美光第 1 季度 DRAM 價(jià)格已上調(diào) 15%-20%
發(fā)表于：1/3/2024 11:48:30 AM
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