美光宣布，已開始批量生產HBM3E，將用于英偉達H200，該GPU計劃在2024年第二季度開始發貨。美光表示，這一里程碑讓其處于業界的最前沿，以行業領先的HBM3E性能和能效為人工智能（AI）解決方案提供支持。
早在去年7月，美光就宣布推出業界首款帶寬超過1.2TB/s、引腳速度超過9.2GB/s、8層垂直堆疊的24GB容量HBM3E，采用了其1β（1-beta）工藝制造，性能相比目前出貨的HBM3解決方案提高了50%。據介紹，美光HBM3E產品的每瓦性能是前幾代產品的2.5倍，為人工智能數據中心的性能、容量和功率效率等關鍵指標創造了新的記錄，可以減少GPT-4等大型語言模型的訓練時間，并提供了卓越的總擁有成本（TCO）。美光稱，其HBM3E的功耗比競爭對手SK海力士和三星的同類產品低了30%。
美光還準備了12層垂直堆疊的36GB容量HBM3E，在給定的堆棧高度下，提供的容量增加了50%，隨著技術的進步，美光將硅通孔（TSV）增加了一倍，金屬密度增加了五倍，從而降低了熱阻抗，加上節能的數據路徑設計，因此讓能效得以提高。
下個月英偉達的GTC 2024上，美光將會帶來36GB容量HBM3E，并分析更多的產品信息。
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