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全球TOP10芯片巨頭Q1業績最新出爐
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三星開始量產首款3nm Exynos芯片
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三星組建百人工程師團隊爭奪英偉達下一代AI芯片訂單
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三星GAA工藝高性能移動SoC成功生產流片
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三星目標2025年量產2nm工藝：性能和效率顯著提升
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英偉達疑煽動三星SK海力士價格競爭
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消息稱三星計劃量產的1c DRAM使用MOR光刻膠
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三星在德國被判侵犯大唐4G專利
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華星光電有望年內宣布8.6代OLED生產線計劃
發表于：4/29/2024 8:58:01 AM
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消息稱華為正開發國產HBM存儲器
發表于：4/28/2024 8:59:40 AM
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消息稱三星明年推出三重堆疊技術的第10代NAND
發表于：4/28/2024 8:59:25 AM
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消息稱三星電子探索邏輯芯片混合鍵合
發表于：4/25/2024 8:59:42 AM
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消息稱三星和AMD簽署價值4萬億韓元的HBM3E 12H供貨協議
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三星啟動其首批第九代V-NAND閃存量產
發表于：4/23/2024 8:59:57 AM
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消息稱三星電子NAND產量大增 開工率重回90%高位
發表于：4/22/2024 8:50:22 AM
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三星電子在美開設先進處理器實驗室聚焦 RISC-V IP 開發
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三星發布Exynos 5400 5G調制解調器
發表于：4/19/2024 9:00:31 AM
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三星計劃將TC-NCF用于16層HBM4內存生產
發表于：4/19/2024 9:00:23 AM
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三星2025年下半年將量產第十代V-NAND
發表于：4/16/2024 8:50:42 AM
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消息稱三星電子本季度NAND閃存產能環比提升30%
發表于：4/16/2024 8:50:13 AM
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消息稱三星電子最快本月晚些時候量產第9代V-NAND閃存
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三星：已完成16層混合鍵合HBM內存驗證
發表于：4/9/2024 11:30:30 PM
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三星SK 海力士推進移動內存堆疊封裝技術量產
發表于：4/9/2024 11:14:05 PM
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消息稱三星將獲美國60億至70億美元補貼
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消息稱三星獲英偉達 AI 芯片2.5D封裝訂單
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三星和SK海力士正在提高DRAM產量
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三星S25全系放棄使用效能較差的Exynos
發表于：4/7/2024 8:51:00 AM
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三星謀劃3D堆疊內存：10nm以下一路奔向2032年
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2023Q4全球代工產值環比增長10%
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