微波射頻相關文章 平板電腦為DRAM帶來增長支撐點 據IHSiSuppli公司的研究，2011年平板電腦將極大地促進DRAM產業的發展，預計今年該領域的DRAM出貨量將增長八倍。今年平板設備領域的DRAM出貨量預計達到3.533億Gb，比2010年的3780萬Gb劇增834.7%。 發表于：1/28/2011 Vishay推出新款PHP系列精密高功率薄膜貼片電阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新的PHP系列精密高功率薄膜貼片電阻。這些器件具有低至±25ppm/℃的絕對TCR，低至±0.1%的容差，在-55℃～+125℃的寬溫范圍內具有1.0～2.5W的高功率等級。 發表于：1/27/2011 DRAM內存價格接近谷底 二季度回漲 來自存儲芯片調研公司集邦科技的消息稱，1月上半個月DRAM期貨價已經接近谷底，下半個月價格可能持平或繼續小幅下滑，然后在二季度開始回漲. 發表于：1/27/2011 電感、電解電容 2011年行情和價格雙雙看漲 廠商并未看漲2011年所有元件的價格，例如OVP元件就被多數廠商認為會保持穩定價格，而針對鋁電解電容市場，TDK-EPC集團成員愛普科斯大中華區鋁電解電容產品市場總監劉權旺表示，鋁電解電容器的價格將呈上升華強電子網電子元器件資訊提供最新的電子資訊，元器件資訊，LED資訊，IC資訊，非IC資訊，展會信息，這里是您了解最新的電子元器件信息的最佳平臺。 發表于：1/27/2011 聯華電子第四季度凈利潤增46% 聯華電子(UnitedMicroelectronicsCorp.,UMC)日前公布，受晶圓發貨量強勁增長提振，去年第四季度凈利潤增長46%。但該公司表示，美國和新興市場經濟的不確定性可能令今年芯片需求受到抑制。 發表于：1/27/2011 芯片封裝技術詳解 自從美國Intel公司1971年設計制造出4位微處a理器芯片以來，在20多年時間內，CPU從Intel4004、80286、80386、80486發展到Pentium和PentiumⅡ，數位從4位、8位、16位、32位發展到64位;主頻從幾兆到今天的400MHz以上... 發表于：1/27/2011 Vishay Siliconix的TrenchFET®功率MOSFET具有業內P溝道器件的最低導通電阻 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK® SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。 發表于：1/26/2011 下一代無源光網絡技術 PON技術是一種典型的電到多點接入技術，由局側光線路終端（OLT）、用戶側光網絡單元（ONU）以及光分配網絡（ODN）組成。“無源”是指ODN中不含有任何有源電子器件及電源，全部由光纖和光分/合路器（Splitter）等無源光器件組成。 發表于：1/26/2011 光纖位移傳感器的工作原理與仿真 加拿大Roctest公司生產了一種商業用途的光纖位移傳感器（Fiber-Optic Linear Position & Displacement Sensor, FO－LPDS），這種傳感器使用了Fizeau干涉儀解調專利技術（US patent #5202939/#5392117），具有結構簡單、精度高和響應快的優點，目前已經在土木工程領域得到了成功的應用。本文將詳細介紹該種傳感器的原理和用途。 發表于：1/25/2011 MEMS硅膜電容式氣象壓力傳感器的研制 利用硅膜的良好機械特性，采用接觸式的結構，通過簡單標準的工藝制造出了電容式壓力傳感器樣片。經過對傳感器的測試和分析，證明這種傳感器可應用于氣象壓力的測量。如何改進結構設計和工藝制造，提高傳感器的測量精度是下一步研究工作的重點。 發表于：1/24/2011 Maxim推出帶有LDD接口的SFP+控制器 Maxim推出帶有數字激光二極管驅動器(LDD)接口的小外形可插拔(SFP+)控制器DS1878。DS1878基于狀態機，無需進行枯燥的軟件開發工作。器件能夠輕松滿足SFF-8472標準的要求，大大縮短產品上市時間。此外，作為光收發器設計人員理想的高可靠性I²C控制器選擇，DS1878可有效提高SFP+光收發器模塊的可靠性。 發表于：1/24/2011 Vishay Siliconix的TrenchFET®功率MOSFET具有業內P溝道器件的最低導通電阻 賓夕法尼亞、MALVERN— 2011 年1 月24 日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET® 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mmx 2mm占位面積的熱增強型PowerPAK® SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達到的最低導通電阻。 發表于：1/24/2011 MEMS增長動力在消費電子和手機 微機電系統(MEMS)市場2010年強勁增長，營業收入同比增長18.3%。但據IHSiSuppli公司的最新研究，這只是MEMS和傳感器市場新一輪兩位數增長周期的開始，其增長趨勢將持續到2014年。 發表于：1/24/2011 起因于RTN的SRAM誤操作進行觀測并模擬的方法 瑞薩電子開發出了對起因于隨機電報噪聲（RTN：RandomTelegraphNoise）的SRAM誤操作進行觀測并實施模擬的方法。利用該方法可高精度地估計22nm以后尖端LSI中的RTN影響，適當設定針對RTN的設計余度。 發表于：1/24/2011 延長導通時間可減小輸入電容容量 基于微處理器的器件需要使用穩壓電源(PSU)以檢測輸入功率損耗和繼續在完成內存備份(即將關鍵數據寫入非易失性存儲器)的時間內進行供電。 發表于：1/24/2011 ?…131132133134135136137138139140…?
