微波射頻相關文章 2010年歐洲MEMS廠商增長速度明顯高于整體市場 據IHSiSuppli公司的研究，2010年微機電系統(MEMS)產業蓬勃發展，總體增長了18%，而歐洲三家廠商更是取得了上乘表現。 發表于：3/18/2011 國際閃存價格已暴漲近20% iPad 2上市遭沖擊 雖然日本大地震引起的海嘯抵達美國西海岸時已激不起大浪；但日本地震，卻可能實實在在沖擊到美國蘋果公司剛上市的新品iPad 2。 發表于：3/18/2011 三星電子是競爭力最強的DRAM公司 根據過去、現在及未來的表現，三星電子不但在DRAM市場占有最大份額，而且競爭力最強。 發表于：3/17/2011 Vishay推出新的T86系列固鉭貼片電容器 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款表面貼裝Hi-Rel COTS系列固鉭貼片電容器。這些電容器提供威布爾分級、符合per MIL PRF 55365標準的浪涌電流測試選項、低ESR選項，并且內置熔絲，從而在關鍵應用中達到高可靠性和提供短路保護。 發表于：3/17/2011 基于紫外檢測法的智能型特高壓驗電器系統 提出了一種基于DSP和LabVIEW的智能型特高壓驗電器系統設計方案。以DSP作為現場智能型特高壓驗電器系統的核心，上位機管理系統軟件以LabVIEW作為開發平臺，并采用現場總線CAN將DSP采集的數據傳送至上位機進行分析處理。實驗表明，研制開發的智能型特高壓驗電器系統具有界面友好、操作方便、多功能和抗干擾較強等特點。 發表于：3/17/2011 電子式電壓互感器相關問題探索 本文探討了復合式電壓/電流傳感器的實用化過程中出現的高壓端電子電路供能問題、電磁兼容設計和電子式互感器的保護措施，并提出阻容分壓型電子式互感器的設計構想。 發表于：3/17/2011 英偉達首席財務官大衛·懷特宣布離職 3月16日消息，據路透社報道，全球芯片制造商英偉達今日宣布，公司首席財務官大衛·懷特（David White）出于個人原因離職。他的任期將到2011年5月31日為止。 發表于：3/16/2011 激光測徑儀工作原理和使用圖解 激光掃描測量技術利用激光光源優良的焦點特性，使用快速飛點光掃描測量原理、實現對直徑、厚度等幾何量的精密測量，其應用系統是實施非接觸精密測量和控制的重要技術手段。 發表于：3/16/2011 地震對日本電感電容電阻行情影響有限 日本是全球最大的RCL和石英器件生產地區。此次地震雖然并未嚴重危及本土的生產工廠，但是造成了電力和原料供應的短缺,進而間接對被動器件廠的生產造成影響。 發表于：3/16/2011 雙理想二極管及熱插拔控制器節省了功率和電路板面積 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出緊湊型、雙理想二極管和熱插拔 (Hot SwapTM) 控制器 LTC4227，可提供電源通路 (PowerPathTM) 及浪涌電流控制以用于在 2.9V 至 18V 電壓范圍內工作的冗余電源。LTC4227 調節兩個外部 N 溝道 MOSFET 兩端的正向壓降，以在二極管“或”應用中確保電源之間的電流平滑轉換。這些理想二極管取代了兩個大功率肖特基二極管和相關的散熱器，從而節省了電路板空間，同時為負載提供了一條低損耗通路。下游的熱插拔控制 MOSFET 保護了電路板和背板，以防止它們在帶電插拔時受損，而快速響應電流限制和電路斷路器提供了針對短路故障的保護。借助一個專用的 D2ON# 引腳實現了兩個電源的優先級區分，對于優先級較低的電源，該引腳將關斷理想二極管。除了冗余電源“或”處理之外，LTC4227 還在電源保持應用中提供了一款出色的二極管替代方案，而在這些應用中，電源電壓的短暫驟降與負載是隔離的。 發表于：3/15/2011 利用高精度光纖間距傳感器進行機床監控 利用由FraunhoferIPT研究所研發設計的間距檢測傳感器，能夠在多個不同的檢測位置同時完成對被加工零件的形狀和位置誤差的納米級精度檢測。這種技術在航空航天、汽車制造、印刷機械制造和光學設備制造領域中都能夠得到很好的應用。 發表于：3/15/2011 MEMS壓力傳感器及其應用 MEMS壓力傳感器可以用類似集成電路（IC）設計技術和制造工藝，進行高精度、低成本的大批量生產，從而為消費電子和工業過程控制產品用低廉的成本大量使用MEMS傳感器打開方便之門，使壓力控制變得簡單易用和智能化。 發表于：3/15/2011 視頻監控中分布式存儲技術方案 在一個視頻監控系統中，選擇什么樣的存儲解決方案直接決定了整個系統的系統架構以及系統的性能和穩定程度，目前視頻監控系統中的存儲方案大致上有兩種。視頻監控系統存儲方案一種是在攝像監控前端采用有一定存儲 發表于：3/15/2011 Vishay Siliconix發布具有業內最低外形和最低導通電阻的TrenchFET®功率MOSFET SiA444DJT在2mmx2mm占位面積內具有N溝道MOSFET當中最低的外形；SiA429DJT是具有最低導通電阻且高度只有0.8mm的P溝道器件 發表于：3/14/2011 高速PCB設計電容的應用實例 要正確合理的應用電容，自然需要認識電容的具體模型以及模型中各個分布參數的具體意義和作用。和其他的元器件一樣，實際中的電容與"理想"電容器不同，" 實際"電容器由于其封裝、材料等方面的影響，其就具備有電感、電阻的一個附加特性，必須用附加的"寄生"元件或"非理想 "性能來表征，其表現形式為電阻元件和電感元件，非線性和介電存儲性能。"實際"電容器模型如下圖所示。由于這些寄生元件決定的電容器的特性，通常在電容器生產廠家的產品說明中都有詳細說明。在每項應用中了解這些寄生作用，將有助于你選擇合適類型的電容器。 發表于：3/14/2011 ?…126127128129130131132133134135…?
