微波射頻相關文章 陶瓷貼片電容的基本常識 貼片電容目前使用NPO、X7R、Z5U、Y5V等不同的材質規格,不同的規格有不同的用途。下面我們僅就常用的NPO、X7R、Z5U和Y5V來介紹一下它們的性能和應用以及采購中應注意的訂貨事項以引起大家的注意。 發表于:4/21/2011 Vishay發布新款IFSC系列低外形、高電流電感器 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出采用0806、1008、1111和1515外形尺寸的新系列低外形、高電流電感器---IFSC。IFSC器件具有低至1.0mm的超薄外形和高的最大頻率,提供0.47µH~47.0µH的標準感值。 發表于:4/20/2011 Ramtron增強管理團隊 世界領先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產品開發及供應商Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣布,任命蕭穎擔任客戶滿意度部門副總裁。在此新設立的職位上,蕭穎負責Ramtron公司的質量保證計劃,并管理公司的產品和測試工程技術機構。 發表于:4/20/2011 日本311地震打擊CMOS圖像傳感器產業 IHS iSuppli公司的研究顯示,日本發生的311地震正在沖擊日本兩家工廠的CMOS圖像傳感器生產,影響了手機攝像頭的生產與分配。 發表于:4/20/2011 不會再弄混 編輯為你詳解ROM/RAM的區別 在智能手機還沒有普及的年代,人們購買手機很少人會去關注手機的硬件配置,更不會有多少人去關心硬件配置中ROM和RAM的大小,但是隨著目前智能手機爆發式的增長,越來越多人開始關注手機的硬件,因為硬件水平目前在很大程度上會制約手機的用戶體驗,特別是RAM和ROM的參數,這會直接制約手機的運行流暢程度。不過目前很多朋友不太清楚RAM和ROM的具體含義,只是簡單的知道越大肯定越好,那么今天筆者就來為大家詳細的解釋一下這兩個參數的具體指向,這樣以后大家購買手機時就不怕再弄混了。 發表于:4/20/2011 中國IGBT市場銷售額四年后將翻一倍 據IHS iSuppli公司的研究,由于工業與消費領域的需求增長,中國絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)市場未來幾年將快速增長,2014年銷售額將從2009年的4.297億美元上升到9.75億美元,增長一倍以上。 發表于:4/19/2011 激光焊接技術在傳感器生產中的應用 根據國家標準GB7665-87,傳感器定義為:能感受規定的被測量并按照一定的規律轉換成可用輸出信號的器件裝置。傳感器作為檢測工具,要求檢測研究對象的物理或化學的信息,其工作過程要求穩定、可靠、精度高,所以對傳感器有以下幾個要求 發表于:4/19/2011 阻抗匹配在RFID系統中的應用 匹配關乎著系統的性能,使匹配則是使系統的性能達到約定準則下的最優。其實,阻抗匹配的概念還可擴展到整個電學之中,包括強電(以電能應用為主)與弱電(以信號檢測與處理為主)兩個大的領域。再進一步,如果去掉阻抗的概念單就匹配而言,則其覆蓋的范圍將更為廣闊,比如:在RFID技術應用中,技術與需求的滿足涉及到匹配的問題等。 發表于:4/19/2011 光纖預制棒技術及發展趨勢[詳講] 2011年4月18日消息,目前,已形成光纖光纜全球性大發展的良好氣候,美國KMI公司預測, 今后10年,全球光纖光纜需求將持續增長,為適應全球光纖光纜需求的增長,國際上各大光纖生產廠商正進行新一輪的擴產,同時,國內光纖產業的發展勢頭也很強勁,有的光纖生產企業正在擴產,還將新建幾個大型光纖廠。這里,技術路線的選擇是很重要的。 發表于:4/18/2011 晶圓代工可能很快出現大規模供過于求 據多家市場分析機構指出,今年下半年起,晶圓代工可能面臨供過于求情況。 發表于:4/18/2011 閃存芯片迎春 20nm制程技術完全解析 近日IDF2011大會圓滿閉幕,但是就在會后時隔1個工作日,Intel和美光爆出猛料20nm制程研發成功。對于整個閃存乃至半導體產業的刺激巨大。而在日本311之后,整個閃存產業經歷了巨大的驚濤風波之后,現在恢復的如何?下面就且聽小編我一一道來。 發表于:4/18/2011 支持ONFI同步模式的NAND Flash控制器設計 先對ONFI標準進行了介紹,然后再設計了一種支持ONFI2.1標準源同步高速模式的NAND Flash控制器,包括狀態機的設計,接口的設計等。對設計中遇到的源同步模式下,信號的對齊問題進行了說明,并提出了一種解決方法。同時設計中還會遇到數據跨時鐘域傳輸的問題,本文也給出了解決辦法。最后仿真和綜合結果表明,本文的設計完全滿足標準要求,具有實際的使用價值。 發表于:4/16/2011 Vishay精密電阻陣列使電子電路穩定和小型化 本文將介紹薄膜芯片電阻陣列如何積極地影響電路的電氣穩定,同時減少需要的面積。以分壓器作為例子,我們將在文章中解釋相對參數“容差匹配”和“TCR跟蹤”,并討論電阻陣列的溫度行為。此外,這篇文章還會展示如何在生產過程中控制電阻的容差和溫度系數。 發表于:4/15/2011 利用模擬開關實現T1/E1/J1的N+1冗余 具有多端口T1/E1/J1線卡的現代通信系統通過增加冗余來滿足電信網絡的高可用性要求。過去,這些系統曾經用繼電器來實現N+1冗余切換。隨著每個線卡上的T1/E1/J1端口數和每個系統內的線卡數的增加,繼電器方案不再可行,因為它們要占用大量的板上空間和供率。設計者正在用模擬開關代替繼電器。 發表于:4/15/2011 Vishay發布三款采用小尺寸封裝的高性能單通道和雙通道負載開關 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出三款新的可在1.1V~5.5V電壓下工作的單通道和雙通道2A負載開關--- SiP32411、 SiP32413和SiP32414,器件在1.2V下的低開關導通電阻能夠提高效率,150μs的典型受控軟啟動斜率能夠限制涌入電流,使受控的啟動過程更加平滑,從而將開關噪聲降至最小。 發表于:4/14/2011 ?…121122123124125126127128129130…?