微波射頻相關文章 阻抗匹配在RFID系統中的應用 匹配關乎著系統的性能，使匹配則是使系統的性能達到約定準則下的最優。其實，阻抗匹配的概念還可擴展到整個電學之中，包括強電(以電能應用為主)與弱電(以信號檢測與處理為主)兩個大的領域。再進一步，如果去掉阻抗的概念單就匹配而言，則其覆蓋的范圍將更為廣闊，比如：在RFID技術應用中，技術與需求的滿足涉及到匹配的問題等。 發表于：4/19/2011 光纖預制棒技術及發展趨勢[詳講] 2011年4月18日消息，目前，已形成光纖光纜全球性大發展的良好氣候，美國KMI公司預測， 今后10年，全球光纖光纜需求將持續增長，為適應全球光纖光纜需求的增長，國際上各大光纖生產廠商正進行新一輪的擴產，同時，國內光纖產業的發展勢頭也很強勁，有的光纖生產企業正在擴產，還將新建幾個大型光纖廠。這里，技術路線的選擇是很重要的。 發表于：4/18/2011 晶圓代工可能很快出現大規模供過于求 據多家市場分析機構指出，今年下半年起，晶圓代工可能面臨供過于求情況。 發表于：4/18/2011 閃存芯片迎春 20nm制程技術完全解析 近日IDF2011大會圓滿閉幕，但是就在會后時隔1個工作日，Intel和美光爆出猛料20nm制程研發成功。對于整個閃存乃至半導體產業的刺激巨大。而在日本311之后，整個閃存產業經歷了巨大的驚濤風波之后，現在恢復的如何？下面就且聽小編我一一道來。 發表于：4/18/2011 支持ONFI同步模式的NAND Flash控制器設計 先對ONFI標準進行了介紹，然后再設計了一種支持ONFI2．1標準源同步高速模式的NAND Flash控制器，包括狀態機的設計，接口的設計等。對設計中遇到的源同步模式下，信號的對齊問題進行了說明，并提出了一種解決方法。同時設計中還會遇到數據跨時鐘域傳輸的問題，本文也給出了解決辦法。最后仿真和綜合結果表明，本文的設計完全滿足標準要求，具有實際的使用價值。 發表于：4/16/2011 Vishay精密電阻陣列使電子電路穩定和小型化 本文將介紹薄膜芯片電阻陣列如何積極地影響電路的電氣穩定，同時減少需要的面積。以分壓器作為例子，我們將在文章中解釋相對參數“容差匹配”和“TCR跟蹤”，并討論電阻陣列的溫度行為。此外，這篇文章還會展示如何在生產過程中控制電阻的容差和溫度系數。 發表于：4/15/2011 利用模擬開關實現T1/E1/J1的N+1冗余 具有多端口T1/E1/J1線卡的現代通信系統通過增加冗余來滿足電信網絡的高可用性要求。過去，這些系統曾經用繼電器來實現N＋1冗余切換。隨著每個線卡上的T1/E1/J1端口數和每個系統內的線卡數的增加，繼電器方案不再可行，因為它們要占用大量的板上空間和供率。設計者正在用模擬開關代替繼電器。 發表于：4/15/2011 Vishay發布三款采用小尺寸封裝的高性能單通道和雙通道負載開關 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出三款新的可在1.1V～5.5V電壓下工作的單通道和雙通道2A負載開關--- SiP32411、 SiP32413和SiP32414，器件在1.2V下的低開關導通電阻能夠提高效率，150μs的典型受控軟啟動斜率能夠限制涌入電流，使受控的啟動過程更加平滑，從而將開關噪聲降至最小。 發表于：4/14/2011 電容爆炸的原因及處理方法 我曾經在400V開關室使用了PGJ1-5型無功功率補償屏，屏內裝有BCMJ型并聯電容器10只，每只額定輸出16kVar，額定電壓0.4kV，額定電流25A，溫度類別-25℃/45℃接法。 發表于：4/14/2011 智慧手機和平板助攻 行動DRAM聲勢看漲 在智慧型手機和媒體平板裝置的帶動下，行動DRAM（Mobile DRAM）需求也隨之水漲船高，包括低功耗DRAM和虛擬DRAM（Pseudo SRAM）的聲勢正不斷看漲。 發表于：4/14/2011 IDF2011:Hynix與下一代內存技術趨勢 由英特爾主辦的全球IT界高水平的技術論壇活動--2011英特爾信息技術峰會(Intel Developer Forum, IDF)，于4月12至13日在北京國家會議中心舉行。這是2007年以來連續第5個年度IDF在中國首發。本屆IDF以"智無界，芯跨越"(Compute Continuum and Beyond)為主題，將進一步展示英特爾如何通過從硬件、平臺到軟件和服務全面的計算解決方案，推進個性化互聯網發展;同時面向中國市場如何支持本地合作伙伴創新，助力新一代信息技術等戰略性新興產業發展。 發表于：4/14/2011 四月DRAM價格攀升 廠商產能轉往Flash及DDR3 根據DRAMeXchange調查，四月上旬DDR3合約價再度呈現價格上揚的趨勢，DDR3 2GB均價自17美元上漲至18美元(2Gb $2.03)，漲幅約5.88%，DDR3 4GB均價亦上漲至35美元(2Gb $2.03)，漲幅約在6.1%，從市場面來觀察，由于日本東北大地震影響下，DRAM廠掀起硅晶圓搶料作戰，硅晶圓廠也釋出手上庫存來滿足產業需求，加上DRAM廠普遍都有一個月以上的庫存量來看，目前維持正常投片的能見度可至第二季末，但長期來看，如果硅晶圓大廠如信越化學及SUMCO不能在近期恢復正常運作，DRAM供應煉受到沖擊勢必在未來將陸續浮現，加上近期傳出部份DRAM廠在40nm制程良率出現問題，供貨不順下更加深PC-OEM廠對于DRAM廠未來是否能供貨穩定度增添疑慮，部份PC-OEM廠決定拉高庫存水位，需求轉趨積極下，跟DRAM廠議定合約價時亦接受較高的價格，也是讓四月上旬合約價攀升的主要原因。 發表于：4/14/2011 Vishay榮獲TTI Asia的優秀供應商獎 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，Vishay Intertechnology Asia Pte Ltd榮獲TTI Electronics Asia Pte Ltd公司的優秀供應商獎。Vishay是全球最大的分立半導體和無源電子器件制造商之一，TTI是全球領先的授權分銷商，專門從事無源、連接器、機電產品和分立器件的分銷。 發表于：4/13/2011 硅晶圓缺貨依舊 DRAM合約價成功調漲 在硅晶圓缺貨陰霾未能完全消退下，個人計算機(PC)大廠補貨需求提前啟動，4月DRAM合約價漲聲響起，讓DRAM業者吃下定心丸，估計4月上旬平均漲幅約6%，而南亞科依據不同客戶區分，單月漲幅落在5~10%區間，目前2GB容量DDR3模塊價格調漲至18美元，換算2Gb芯片報價回升至2美元，預計2GB模塊報價回升至20美元指日可待，如果硅晶圓吃緊問題持續，預計5、6月可順利回升至此價位。 發表于：4/13/2011 繼電器使用中的幾點問題 要用好繼電器，正確選型是很重要的，首先必須對被控對象的性質、特點和使用要求有透徹的了解，并進行周密考慮。對所選繼電器的原理、用途、技術參數、結構特點、規格型號要掌握和分析。在此基礎上應根據項目實際情況和具體條件，來正確選擇繼電器。 發表于：4/13/2011 ?…120121122123124125126127128129…?
