微波射頻相關(guān)文章 VTI科技：MEMS傳感器市場(chǎng)面臨空前機(jī)遇 隨著我國汽車電子、新型數(shù)字消費(fèi)電子和醫(yī)療電子等產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展，對(duì)MEMS傳感器的各種新需求和基于該技術(shù)的創(chuàng)新不斷涌現(xiàn)，為此專業(yè)科技市場(chǎng)分析機(jī)構(gòu)北京華興萬邦管理咨詢有限公司走訪了總部位于歐洲芬蘭的老牌微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)傳感器制造商VTI科技(VTI Technologies)。該公司高管告訴分析師：隨著各種新的應(yīng)用不斷出現(xiàn)，以及MEMS器件廠商的技術(shù)創(chuàng)新，MEMS傳感器產(chǎn)業(yè)將迎來一輪新的機(jī)會(huì)。 發(fā)表于：3/7/2011 IIC-China 2011:F-RAM技術(shù)帶來UHF標(biāo)簽的新革命 世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡(jiǎn)稱Ramtron) 于IIC-China 2011深圳站期間，展示了其MaxArias?無線存儲(chǔ)器產(chǎn)品。 發(fā)表于：3/7/2011 Microsemi于electronica China展會(huì)上展示行業(yè)領(lǐng)先的IC應(yīng)用技術(shù)與高端元器件 致力實(shí)現(xiàn)智能、安全，以及互連世界的半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商─美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào)：MSCC) ，宣布將參與3月15至17日在上海新國際博覽中心舉行的2011年慕尼黑上海電子展(electronica & Productronica China 2011) ，展臺(tái)號(hào)碼為1202。 發(fā)表于：3/7/2011 采用圖像傳感器ME1010的計(jì)花器設(shè)計(jì) 織物上的疵點(diǎn)主要是由纖維上的花結(jié)引起的，計(jì)花器是紡織業(yè)中的一種常用設(shè)備，主要用于統(tǒng)計(jì)(或清除)紡錠上的花結(jié)，是確定纖維質(zhì)量等級(jí)的主要依據(jù)。 發(fā)表于：3/7/2011 基于AM402的電流量輸出電容式角度傳感器 設(shè)計(jì)了一種新型的電容式角度傳感器，并利用電容式信號(hào)轉(zhuǎn)換集成電路CAV424和電壓一電流轉(zhuǎn)換接口電路AM402，將電容傳感器信號(hào)轉(zhuǎn)化為4—20 mA標(biāo)準(zhǔn)的工業(yè)電流輸出。該系統(tǒng)能夠有效地降低干擾和測(cè)量誤差，在0—90°的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)對(duì)角度的精確測(cè)量，得到線性度良好的直流電流量輸出。 發(fā)表于：3/5/2011 一種新型霍爾傳感器信號(hào)檢測(cè)分析儀的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn) 針對(duì)無刷直流電機(jī)中霍爾傳感器安裝工藝上的缺陷，設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)了一個(gè)基于虛擬儀器架構(gòu)的邏輯信號(hào)檢測(cè)分析儀對(duì)電機(jī)霍爾傳感器信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)。采用AT89S52單片機(jī)作為信號(hào)采集器，通過RS232串口實(shí)現(xiàn)單片機(jī)與PC通信，應(yīng)用VB 設(shè)計(jì)圖形化的界面對(duì)采集的數(shù)據(jù)進(jìn)行分析。 發(fā)表于：3/5/2011 氣體傳感器的特性及分類 氣體傳感器是氣體檢測(cè)系統(tǒng)的核心，通常安裝在探測(cè)頭內(nèi)。從本質(zhì)上講，氣體傳感器是一種將某種氣體體積分?jǐn)?shù)轉(zhuǎn)化成對(duì)應(yīng)電信號(hào)的轉(zhuǎn)換器。本文講述氣體傳感器的特性、分類及應(yīng)用。 發(fā)表于：3/5/2011 改善傳感器性能的技術(shù)途徑 傳感器內(nèi)部產(chǎn)生的噪聲包括敏感元件，轉(zhuǎn)換元件和轉(zhuǎn)換電路元件等產(chǎn)生的噪聲以及電源產(chǎn)生的噪聲。例如光電真空管放射不規(guī)則電子，半導(dǎo)體載流子擴(kuò)散等產(chǎn)生的噪聲。如何降低噪聲是工程師一直苦苦追尋，本文為你詳細(xì)講述 發(fā)表于：3/5/2011 Vishay推出超長(zhǎng)使用壽命的新款鋁電容器 104 PHL-ST電容器在在+105℃下壽命長(zhǎng)達(dá)5000小時(shí)，紋波電流達(dá)34.8A，具有從6800μF、450V至33000μF、200V的高容值/電壓組合 發(fā)表于：3/4/2011 為便攜產(chǎn)品選擇合適的低成本USB開關(guān) 隨著通用串行總線（USB）在便攜或手持應(yīng)用中日趨流行，具有超低功耗的高質(zhì)量開關(guān)在實(shí)現(xiàn)這種連接解決方案方面充當(dāng)著重要角色。受消費(fèi)者的需求驅(qū)動(dòng)，設(shè)計(jì)人員需要不斷創(chuàng)新、加速設(shè)計(jì)進(jìn)程并幫助縮短制造周期，在這種情況下，可靠的低成本的USB開關(guān)已經(jīng)成為其中的關(guān)鍵組件。 發(fā)表于：3/4/2011 基于光纖的溫度傳感器 溫度傳感器是基于一個(gè)基本的物理量“溫度”，自然界中的一切過程無不與溫度!密切相關(guān)。從伽利略發(fā)明溫度計(jì)開始，人們開始利用溫度進(jìn)行測(cè)量。溫度傳感器是最早開發(fā)、應(yīng)用最廣的一類傳感器。 發(fā)表于：3/4/2011 LC振蕩電路電容和電感的測(cè)量設(shè)計(jì) 文中針對(duì)電容和電感的測(cè)量，簡(jiǎn)單介紹了關(guān)于LC振蕩電路測(cè)量電容和電感的設(shè)計(jì)原理。同時(shí)通過實(shí)驗(yàn)證明該方案能進(jìn)行高頻電感和電容的測(cè)量。測(cè)量的精度能達(dá)到應(yīng)有要求。 發(fā)表于：3/3/2011 薄膜電路技術(shù)在T/R組件中的應(yīng)用 采用薄膜技術(shù)來制造薄膜電路是薄膜領(lǐng)域中一個(gè)重要分支。薄膜電路主要特點(diǎn)：制造精度比較高(薄膜線寬和線間距較小)，可實(shí)現(xiàn)小孔金屬化，可集成電阻、電容、電感、空氣橋等無源元件，并且根據(jù)需要，薄膜電路可以方便地采用介質(zhì)制造多層電路。薄膜多層電路是指采用真空蒸發(fā)、濺射、電鍍等薄膜工藝以及濕法刻蝕和干法刻蝕(反應(yīng)離子刻蝕、等離子刻蝕、激光刻蝕)等圖形形成技術(shù)，在拋光的基板(陶瓷、硅、玻璃等材料)上制作導(dǎo)體(Cu或Au等)布線與絕緣介質(zhì)膜(PI或BCB等)相互交疊的多層互連結(jié)構(gòu)。 發(fā)表于：3/3/2011 VGA信號(hào)傳輸技術(shù)比較 VGA信號(hào)傳輸是最近的視頻信號(hào)傳輸?shù)臒狳c(diǎn)，各種不同的傳輸方式引發(fā)很多工程商的關(guān)注，各種不同的宣傳也模糊了工程商的正常判斷，作為雙絞線傳輸?shù)纳a(chǎn)商，就VGA傳輸?shù)陌l(fā)展及原理做一個(gè)小小的論述，希望可以澄清大家可能的誤判! 發(fā)表于：3/3/2011 Vishay Siliconix的雙芯片P溝道器件刷新業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻紀(jì)錄 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET®功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK® SC-70封裝，具有8V柵源電壓和迄今為止雙芯片P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。 發(fā)表于：3/2/2011 ?…128129130131132133134135136137…?
