| 電容網(wǎng)絡(luò)對(duì)射頻SOI開(kāi)關(guān)功率承受能力影響研究 | |
| 所屬分類：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大小：3913 K | |
| 標(biāo)簽： 射頻開(kāi)關(guān) 功率處理能力 電容網(wǎng)絡(luò) | |
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| 文檔介紹：通過(guò)比較分析研究電容網(wǎng)絡(luò)對(duì)射頻SOI開(kāi)關(guān)功率承受能力的影響，主要包括射頻開(kāi)關(guān)晶體管源極與漏極之間的橫向耦合電容Cdsn和射頻開(kāi)關(guān)源極與漏極節(jié)點(diǎn)到GND的縱向耦合電容Cgndn。研究?jī)?nèi)容包括射頻開(kāi)關(guān)堆疊結(jié)構(gòu)Cdsn/Cgndn逐步變化，前兩級(jí)Cdsn/Cgndn電容值大小，前N級(jí)Cdsn/Cgndn電容網(wǎng)絡(luò)對(duì)射頻開(kāi)關(guān)插入損耗、隔離度和功率承受能力的影響，研究結(jié)果為射頻開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)提供參考。 | |
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