| 硅基GaN功率器件與驅動集成設計 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大?。?span>4444 K | |
| 標簽： GaN 功率IC 單通道 | |
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| 文檔介紹：為滿足高頻電源模塊的應用需求，設計了一款全GaN功率芯片。芯片集成了驅動電路和300 V功率管，有效減少分立式封裝所帶來的寄生電感，集成化設計能夠提升芯片抗噪聲能力和可靠性。芯片在GaN-on-Si工藝平臺進行制備，采用E/D模集成電路設計。該芯片的驅動電路在2 MHz開關頻率下輸出信號上升時間為4.3 ns、下降時間為3.4 ns，芯片的功率管在300 V下能夠穩定工作。 | |
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