| T型柵GaN HEMT微波器件ESD特性研究 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大?。?span>3710 K | |
| 標簽： GaN HEMT T型柵 ESD | |
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| 文檔介紹：對Si基GaN HEMT器件在ESD事件下的失效機理與影響因素進行了研究。探究了器件在不同偏置下的失效電壓分布情況，并結合微光顯微鏡定位了引起器件退化的異常點，進行了對應的微區分析。另外，還探究了T型柵幾何尺寸如柵腳、柵帽寬度與總柵寬等工藝參數對器件抗靜電能力的影響并進行相關機理分析，為器件ESD性能、可靠性的優化提供了方向與參考。 | |
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