| X波段寬帶高效率連續(xù)類(lèi)功率放大器芯片設(shè)計(jì) | |
| 所屬分類(lèi)：技術(shù)論文 | |
| 上傳者：wwei | |
| 文檔大小：3985 K | |
| 標(biāo)簽： 功率放大器 高效率 X波段 | |
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| 文檔介紹：為提高功率放大器的帶寬和效率，基于0.25 μm GaAs pHEMT ED工藝，通過(guò)控制輸出級(jí)二次諧波阻抗進(jìn)行波形控制，實(shí)現(xiàn)連續(xù)B/J類(lèi)波形，設(shè)計(jì)了一款單片集成的X波段高效率連續(xù)B/J類(lèi)功率放大器。放大器由兩級(jí)構(gòu)成，驅(qū)動(dòng)級(jí)使用增強(qiáng)型晶體管實(shí)現(xiàn)高增益，輸出級(jí)使用耗盡型晶體管實(shí)現(xiàn)高效率與瓦級(jí)的輸出功率。仿真結(jié)果顯示，該功率放大器在7.3~12.2 GHz的頻帶內(nèi)實(shí)現(xiàn)了29~30.6 dBm的輸出功率，功率增益為17~18.6 dB，功率附加效率大于50%，峰值效率為59%，輸入回波損耗小于10 dB，芯片尺寸僅為2.1 mm×1.3 mm。 | |
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