| 一種基于130 nm CMOS工藝的K波段上/下雙向混頻器 | |
| 所屬分類：技術論文 | |
| 上傳者：aetmagazine | |
| 文檔大小：916 K | |
| 標簽： 上/下雙向混頻器 K波段 CMOS | |
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| 文檔介紹：基于130 nm RF CMOS工藝，提出了一種可實現上/下雙向變頻功能的K波段有源混頻器。當收發機工作于接收模式時，雙向混頻器執行下變頻功能，將低噪放大器放大后的射頻信號轉換為中頻信號；當收發機工作于發射模式時，雙向混頻器則實現上變頻功能，將輸入的基帶信號轉換為射頻信號并輸出至功率放大器。后仿真結果表明，在0 dBm的本振驅動下，混頻器工作于上變頻模式時的轉換增益、噪聲系數、輸出1 dB壓縮點在23~25 GHz范圍內分別為-1.1~-0.4 dB、12.9~3.3 dB、-8.2 dBm@24 GHz；工作于下變頻工作模式時的轉換增益、噪聲系數、輸入1 dB壓縮點在23~25 GHz范圍內分別為2.4~3.4 dB、15.2~15.6 dB、-3.6 dBm@24 GHz。混頻器芯片面積為0.6 mm2；在1.5 V供電電壓下，消耗功率12 mW。 | |
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