絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的基本特性與驅(qū)動(dòng)
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標(biāo)簽： IGBT 晶體管
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文檔介紹：摘要：IGBT 的全 稱是Insulate Gate Bipolar Transistor，即絕緣柵雙極晶體管。它兼具M(jìn)OSFET和GTR的多項(xiàng)優(yōu)點(diǎn)，極大的擴(kuò)展了半導(dǎo)體器件的功率應(yīng)用領(lǐng)域。例如將之應(yīng)用于變頻空調(diào)逆變電路當(dāng)中，顯著地改善了空調(diào)的性能。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
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