| 0.13μm射頻MOS場效應(yīng)晶體管特性及模擬 | |
| 所屬分類：解決方案 | |
| 上傳者：news | |
| 文檔大小：396 K | |
| 標(biāo)簽： ADI TI FPGA | |
| 所需積分：2分積分不夠怎么辦？ | |
| 文檔介紹：采用0113μm CMOS 射頻和混合信號(hào)工藝進(jìn)行了射頻nMOS 場效應(yīng)晶體管版圖的優(yōu)化設(shè)計(jì)和芯片制作.對制作的射頻nMOS 器件進(jìn)行了直流特性和S 參數(shù)測試, 測試結(jié)果表明射頻nMOS 管的特征頻率f T 達(dá)到了93GHz , f max超過了90GHz . 采用小信號(hào)等效電路模型對該nMOS 管的交流特性進(jìn)行了模擬. 在100MHz 到30GHz 頻率范圍內(nèi)得到了與測試結(jié)果相吻合的仿真結(jié)果. | |
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