恩智浦半導體NXP Semiconductors N.V.（Nasdaq：NXPI）近日宣布啟動首屆高性能射頻設計大賽注冊程序，誠邀世界各地的射頻工程師和學生提交各種射頻功率器件的應用創意。RF功率晶體管廣泛用于電信、航空航天、廣播基礎設施領域以及各種工業、科學和醫療等領域，而隨著RF LDMOS技術的功能更加強大、耐受力更高、成本更低，射頻驅動燈等新型應用也成為了可能。恩智浦高性能射頻設計大賽組委會將根據創新性、設計效率、實用性、原創性和概念驗證等指標對參賽設計進行評選。獎品總價值達2.5萬美元，其中包括全程免費到美國馬里蘭州巴爾的摩參加2011年MTT-S國際微波研討會的旅行機會。
恩智浦高性能射頻設計大賽分三個階段進行：
o第一階段：概念設計——2011年1月10日至2月20日
o第二階段：硬件設計——2011年2月28日至4月24日
o第三階段：原型設計——2011年5月2日至29日
•概念設計階段需要提交原始設計，包括摘要、標題和結構圖。參賽者在提交有效的參賽材料后即可收到免費的設計大賽開發套件。
•在硬件設計階段，每位參賽者須提出有效的原型并提供概念證明——如視頻或測試報告——以及相應的物料清單、原理圖、布線圖和其他設計相關材料。
•EMEA（歐洲、中東和非洲）、亞太和美洲地區的優勝者將進入最后原型設計階段。在此階段，每位參賽者有機會在各地區的恩智浦高性能射頻設計實驗室改進其設計，而交通費和住宿費則由恩智浦承擔。
•前三名參賽者將獲得全程免費參加IMS2011會議的機會。特等獎獎品還包括價值3,000美元的Apple Store® 代金券。
•設計大賽社區注冊會員及恩智浦評委將對參賽設計進行評分和投票。
恩智浦半導體高級副總裁兼高性能射頻和照明業務總經理John Croteau表示：“高性能射頻技術通常用于解決最具挑戰性的工程難題，應用涵蓋衛星接收器、無線基站、廣播發射機到ISM、航空航天、國防等領域，范圍十分廣泛。恩智浦此次舉辦高性能射頻設計大賽的目的在于激發有才華的射頻工程師進
行創新思維，將射頻功率技術應用到各種有趣的新領域。換言之，希望參賽者能突破傳統、勇于嘗試，創造驚喜！而恩智浦則會幫助他們讓優秀創意得以實現。”
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•請訪問恩智浦高性能射頻設計大賽，在線咨詢比賽詳情，并登記和申請開發工具；或發送mail至hprf-dc@nxp.com 進行相關查詢。
•更有恩智浦全球高性能RF產品推廣活動，請訪問http://www.cn.nxp.com/campaigns/high-performance-rf 查詢、登記及申請免費樣品。
