本次主要想探討阻性/感性/容性/電流型負(fù)載對驅(qū)動(dòng)的要求，與大家分享，請網(wǎng)友看看有何不足，先看一個(gè)圖吧，F(xiàn)ET的等效模型是：
用它做成的半橋；就成了這樣的一個(gè)電路：
空載開關(guān)時(shí)；電路變成這兩個(gè)工作模式：
上圖是高邊開關(guān)；低扁關(guān)斷狀態(tài)。下圖是低邊開關(guān)；高邊關(guān)斷狀態(tài)。兩個(gè)狀態(tài)組成一完整開關(guān)周期。這個(gè)現(xiàn)象會導(dǎo)致半、全橋空載時(shí)發(fā)熱。它不僅發(fā)生在開路狀態(tài)；而且還會發(fā)生在容性負(fù)載和硬開關(guān)電路里。適當(dāng)?shù)目刂?ldquo;開”的速度；防制上下之通是必要的。
高端FET開關(guān)狀態(tài)下；導(dǎo)通再關(guān)閉后，由于CDS1、CDS2的電容儲能，Q1關(guān)斷；輸出仍為+Vbus。此時(shí)；Q1柵電壓為0V，但是；Q1并沒因此而承受電壓。即Q1是零電壓關(guān)斷；關(guān)斷過程；柵電壓沒有平臺！沒有彌勒效應(yīng)區(qū)！經(jīng)過一段死區(qū)時(shí)間后；低端FET導(dǎo)通，此時(shí)此刻；高端早已關(guān)斷的FET的D-S終于承受了電壓！雖然是空載；但在這過程中發(fā)生了一系列的電壓電流變化，看圖解！
高邊FET導(dǎo)通后；向Cds2充電/Cds1放電，輸出達(dá)到正電源電壓。FET關(guān)斷時(shí)；由于電容無放電回路（Q2斷），電容電壓保持不變，Q1零壓管斷（無彌勒效應(yīng)）。Q1關(guān)后；仍由于電容做用而不承受電壓。
用正驅(qū)動(dòng)脈沖開啟Q2，當(dāng)柵電壓達(dá)到門坎時(shí)；Q2開始通。Cds2短路放電；Cds1充電。顯然；Q2是硬開通。Q1此時(shí)開始實(shí)質(zhì)性承受電壓。由于Cdg1的充電；導(dǎo)致在Q1驅(qū)動(dòng)?xùn)烹娮枭袭a(chǎn)生電壓。當(dāng)感應(yīng)電壓達(dá)到門坎時(shí)；Q1/Q2瞬間發(fā)生上下直通
半個(gè)周期描述結(jié)束，在此思考下半個(gè)周期的工作過程。
低端的管子是硬開通軟關(guān)斷；高端皆然。這里引用網(wǎng)友helen閘的實(shí)測波形，供大家討論。注意：“ON”是；有明顯的彌勒效應(yīng)平臺，“OFF”時(shí)；沒有。（電源網(wǎng)原創(chuàng)轉(zhuǎn)載注明出處）
阻性負(fù)載：
大體和容性相當(dāng)，只是半橋輸出在死區(qū)時(shí)間里；電壓是電源電壓的一般（如果同同樣的FET做的半、全橋的話）。
由于FET在關(guān)斷后；沒有承受所有電壓，F(xiàn)ET實(shí)際的彌勒效應(yīng)略微減小。看這圖：
現(xiàn)實(shí)負(fù)載中；除了電容/電感/電阻性負(fù)載外。還有一類負(fù)載；叫高分布參數(shù)負(fù)載。如大功率PFC/電機(jī)/PDP驅(qū)動(dòng)等等。它們大體可以等效成這樣兩種拓樸（單級或多級鏈接）
當(dāng)你用方波驅(qū)動(dòng)這樣的負(fù)載時(shí)；電壓或電流高/射頻分量會發(fā)生反射。地線上充滿梳裝噪音，在方波沿上；同時(shí)跳動(dòng)著電流尖刺。驅(qū)動(dòng)速度越高；間刺越大。（這和我們用不同阻抗同軸電纜連接電視；而產(chǎn)生重影是一個(gè)道理）如果拉開波型；可以發(fā)現(xiàn)，第一個(gè)電流尖峰是最高且冒似正弦。這個(gè)現(xiàn)實(shí)的脈沖電流就是這個(gè)網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生的。
用示波器看。將探頭和地線夾短在一起時(shí)；測得的噪音；主要是共模分量。用探頭和地線夾夾在地線的不同部位測得的是差/共模噪音之和。用示波器看時(shí)；要求它有至少100M以上的帶寬。低于10M，大多數(shù)噪音將看不見，低于1M時(shí)；一切都干凈了本次主要想探討阻性/感性/容性/電流型負(fù)載對驅(qū)動(dòng)的要求，與大家分享，請網(wǎng)友看看有何不足，先看一個(gè)圖吧，F(xiàn)ET的等效模型是：
用它做成的半橋；就成了這樣的一個(gè)電路：
空載開關(guān)時(shí)；電路變成這兩個(gè)工作模式：
上圖是高邊開關(guān)；低扁關(guān)斷狀態(tài)。下圖是低邊開關(guān)；高邊關(guān)斷狀態(tài)。兩個(gè)狀態(tài)組成一完整開關(guān)周期。這個(gè)現(xiàn)象會導(dǎo)致半、全橋空載時(shí)發(fā)熱。它不僅發(fā)生在開路狀態(tài)；而且還會發(fā)生在容性負(fù)載和硬開關(guān)電路里。適當(dāng)?shù)目刂?ldquo;開”的速度；防制上下之通是必要的。
高端FET開關(guān)狀態(tài)下；導(dǎo)通再關(guān)閉后，由于CDS1、CDS2的電容儲能，Q1關(guān)斷；輸出仍為+Vbus。此時(shí)；Q1柵電壓為0V，但是；Q1并沒因此而承受電壓。即Q1是零電壓關(guān)斷；關(guān)斷過程；柵電壓沒有平臺！沒有彌勒效應(yīng)區(qū)！經(jīng)過一段死區(qū)時(shí)間后；低端FET導(dǎo)通，此時(shí)此刻；高端早已關(guān)斷的FET的D-S終于承受了電壓！雖然是空載；但在這過程中發(fā)生了一系列的電壓電流變化，看圖解！
高邊FET導(dǎo)通后；向Cds2充電/Cds1放電，輸出達(dá)到正電源電壓。FET關(guān)斷時(shí)；由于電容無放電回路（Q2斷），電容電壓保持不變，Q1零壓管斷（無彌勒效應(yīng)）。Q1關(guān)后；仍由于電容做用而不承受電壓。
用正驅(qū)動(dòng)脈沖開啟Q2，當(dāng)柵電壓達(dá)到門坎時(shí)；Q2開始通。Cds2短路放電；Cds1充電。顯然；Q2是硬開通。Q1此時(shí)開始實(shí)質(zhì)性承受電壓。由于Cdg1的充電；導(dǎo)致在Q1驅(qū)動(dòng)?xùn)烹娮枭袭a(chǎn)生電壓。當(dāng)感應(yīng)電壓達(dá)到門坎時(shí)；Q1/Q2瞬間發(fā)生上下直通
半個(gè)周期描述結(jié)束，在此思考下半個(gè)周期的工作過程。
低端的管子是硬開通軟關(guān)斷；高端皆然。這里引用網(wǎng)友helen閘的實(shí)測波形，供大家討論。注意：“ON”是；有明顯的彌勒效應(yīng)平臺，“OFF”時(shí)；沒有。（電源網(wǎng)原創(chuàng)轉(zhuǎn)載注明出處）
阻性負(fù)載：
大體和容性相當(dāng)，只是半橋輸出在死區(qū)時(shí)間里；電壓是電源電壓的一般（如果同同樣的FET做的半、全橋的話）。
由于FET在關(guān)斷后；沒有承受所有電壓，F(xiàn)ET實(shí)際的彌勒效應(yīng)略微減小。看這圖：
現(xiàn)實(shí)負(fù)載中；除了電容/電感/電阻性負(fù)載外。還有一類負(fù)載；叫高分布參數(shù)負(fù)載。如大功率PFC/電機(jī)/PDP驅(qū)動(dòng)等等。它們大體可以等效成這樣兩種拓樸（單級或多級鏈接）
當(dāng)你用方波驅(qū)動(dòng)這樣的負(fù)載時(shí)；電壓或電流高/射頻分量會發(fā)生反射。地線上充滿梳裝噪音，在方波沿上；同時(shí)跳動(dòng)著電流尖刺。驅(qū)動(dòng)速度越高；間刺越大。（這和我們用不同阻抗同軸電纜連接電視；而產(chǎn)生重影是一個(gè)道理）如果拉開波型；可以發(fā)現(xiàn)，第一個(gè)電流尖峰是最高且冒似正弦。這個(gè)現(xiàn)實(shí)的脈沖電流就是這個(gè)網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)生的。
用示波器看。將探頭和地線夾短在一起時(shí)；測得的噪音；主要是共模分量。用探頭和地線夾夾在地線的不同部位測得的是差/共模噪音之和。用示波器看時(shí)；要求它有至少100M以上的帶寬。低于10M，大多數(shù)噪音將看不見，低于1M時(shí)；一切都干凈了。
這時(shí)候；大體有三種選擇：
1）串低分布參數(shù)的電感，使分布電容的作用減到最小。
它對負(fù)載端的分布參數(shù)抑制有效；對FET自身寄生電容沒作用。
2）用低分布參數(shù)的元件做開關(guān)，開的足夠快。快速開關(guān)后；連聯(lián)線都可以被等效成電感了。
效率提高了，元件要求高了，需要增加EMI/C網(wǎng)絡(luò)了。
3）開慢些；再慢些，所有寄生參數(shù)變的越來越無足輕重了。
犧牲了效率，提高了EMI/C品質(zhì)。
4）用軟開關(guān)拓樸
元件增加了；效率提高了；噪音下來了；成本提高了