6 月 13 日消息，美光當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布將在美國(guó)的投資從此前宣布的 1250 億美元擴(kuò)大至 2000 億美元，包括額外 250 億美元的內(nèi)存制造投資和單獨(dú) 500 億美元的研發(fā)投資。

美光此前已啟動(dòng)位于其總部愛達(dá)荷州博伊西的 1 座 DRAM 內(nèi)存晶圓廠建設(shè)，并計(jì)劃在紐約州克萊再建設(shè) 4 座大型內(nèi)存晶圓廠。

此次的新公告則計(jì)劃在博伊西加建一座晶圓廠、建設(shè) HBM 封裝設(shè)施、對(duì)弗吉尼亞州馬納薩斯晶圓廠進(jìn)行擴(kuò)建和現(xiàn)代化。

馬納薩斯晶圓廠將制造已相對(duì)成熟的 1-alpha (1a nm) DRAM，保障美國(guó)多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的內(nèi)存供應(yīng)。美國(guó)商務(wù)部已敲定對(duì)該項(xiàng)目的 2.75 億美元《CHIPS》法案補(bǔ)貼，這意味著美光所獲直接資金支持總額上升至 64 億美元。

美光在博伊西新建的第一座晶圓廠計(jì)劃于 2027 年開始生產(chǎn) DRAM，克萊建設(shè)項(xiàng)目有望在今年晚些時(shí)候啟動(dòng)地面準(zhǔn)備。該企業(yè)認(rèn)為博伊西第二新晶圓廠將在克萊第一晶圓廠前上線；而在博伊西兩座新廠竣工后 HBM 封裝項(xiàng)目也將啟動(dòng)。