【2025年5月7日, 德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）作為碳化硅（SiC）功率器件及SiC MOSFET溝槽柵技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者，始終以卓越性能與高可靠性相結(jié)合的解決方案引領(lǐng)行業(yè)。目前，CoolSiC?產(chǎn)品系列覆蓋了400 V至3.3 kV的電壓范圍，應(yīng)用領(lǐng)域包括汽車動力傳動系統(tǒng)、電動汽車充電、光伏系統(tǒng)、儲能及高功率牽引逆變器等。現(xiàn)在，英飛凌又憑借豐富的SiC業(yè)務(wù)開發(fā)經(jīng)驗以及在硅基電荷補(bǔ)償器件（CoolMOS?）領(lǐng)域的創(chuàng)新優(yōu)勢，推出了SiC溝槽型超結(jié)（TSJ）技術(shù)。

ID-PAK封裝MDIP-04-01

英飛凌科技零碳工業(yè)功率事業(yè)部總裁Peter Wawer表示：“ TSJ技術(shù)的推出顯著擴(kuò)展了我們的SiC技術(shù)能力。溝槽柵結(jié)構(gòu)與超結(jié)技術(shù)的結(jié)合可以實(shí)現(xiàn)更高的效率和更緊湊的設(shè)計，這對于性能和可靠性要求極高的應(yīng)用十分重要。”

英飛凌致力于通過SiC  TSJ技術(shù)逐步擴(kuò)展CoolSiC?產(chǎn)品組合。此次擴(kuò)展涵蓋多種封裝形式，包括分立器件、模塑和框架封裝模塊，以及裸晶圓。擴(kuò)展后的產(chǎn)品組合能夠滿足汽車和工業(yè)領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用需求。

首批基于這項新技術(shù)的產(chǎn)品是適用于汽車牽引逆變器的英飛凌ID-PAK封裝1200 V功率器件。產(chǎn)品充分利用英飛凌在SiC及硅基超結(jié)技術(shù)（CoolMOS?）領(lǐng)域25年多的經(jīng)驗，集溝槽柵技術(shù)與超結(jié)設(shè)計優(yōu)勢于一身。該可擴(kuò)展封裝平臺支持最高800 kW功率，可實(shí)現(xiàn)高度靈活的系統(tǒng)配置。這項技術(shù)的主要優(yōu)勢之一是通過將R DS(on)*A降低多達(dá)40%以獲得更高的功率密度，從而在相同功率等級下實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計。此外，ID-PAK封裝1200 V SiC TSJ功率器件可在不犧牲短路能力的前提下，將主逆變器電流承載能力提升多達(dá)25%。

這一技術(shù)進(jìn)步還為要求嚴(yán)苛的汽車和工業(yè)應(yīng)用帶來了整體系統(tǒng)性能提升，包括更低的能耗和散熱要求，以及更高的可靠性。此外，該系統(tǒng)還降低了并聯(lián)要求，從而簡化了設(shè)計流程并降低了整體系統(tǒng)成本。憑借這些創(chuàng)新優(yōu)勢，基于英飛凌ID-PAK封裝的SiC TSJ功率器件將助力汽車應(yīng)用領(lǐng)域設(shè)計出更高效、更具成本效益的牽引逆變器。

英飛凌科技汽車電子事業(yè)部總裁Peter Schiefer表示：“作為全球汽車半導(dǎo)體領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌始終引領(lǐng)創(chuàng)新步伐，助力構(gòu)建汽車技術(shù)進(jìn)步與可持續(xù)交通出行之間的橋梁。我們的全新的基于溝槽柵結(jié)構(gòu)的SiC超結(jié)技術(shù)能夠提升效率和簡化系統(tǒng)設(shè)計，為電動汽車動力傳動系統(tǒng)帶來更大的價值。”

現(xiàn)代汽車公司開發(fā)團(tuán)隊是英飛凌TSJ技術(shù)的首批客戶之一，他們將充分利用這項技術(shù)的優(yōu)勢提升其電動汽車產(chǎn)品性能。該合作能夠幫助現(xiàn)代汽車開發(fā)出更加高效、緊湊的電動汽車動力傳動系統(tǒng)。

供貨情況

首批ID-PAK封裝1200 V功率器件樣品現(xiàn)已向部分汽車動力傳動系統(tǒng)客戶開放。ID-PAK封裝 1200 V SiC TSJ功率器件預(yù)計將于2027年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。

英飛凌將參加PCIM Europe 2025

歐洲電力電子系統(tǒng)及元器件展（PCIM Europe）將于2025年5月6~8日在德國紐倫堡舉行。英飛凌將在7號展廳470號展臺展示低碳化和數(shù)字化產(chǎn)品和解決方案。公司代表還將在PCIM展會舞臺和同期舉辦的PCIM會議上發(fā)表多場演講。