4 月 24 日消息，臺積電 2025 年北美技術(shù)論壇不僅公布了最先進的 A14 邏輯制程，在先進封裝領(lǐng)域也有多項重要信息公布。
臺積電表示該企業(yè)計劃在 2027 年量產(chǎn) 9.5 倍光罩尺寸的 CoWoS，從而能夠以臺積電先進邏輯技術(shù)將 12 個或更多的 HBM 堆疊整合到一個封裝中，這意味著單封裝可容納的芯片面積將相較此前進一步提升。
而在更大的晶圓尺寸封裝系統(tǒng)方面，臺積電則帶來了 SoW 系統(tǒng)級晶圓技術(shù)的新版本 SoW-X。該技術(shù)采用不同于 SoW-P 的 Chip-Last 流程（IT之家注：先在晶圓上構(gòu)建中介層再添加芯片），計劃于 2027 年量產(chǎn)。
臺積還介紹了其它一系列高性能集成解決方案，包括用于 HBM4 的 N12 和 N3 制程邏輯基礎(chǔ)裸晶（Base Die）、運用 COUPE 緊湊型通用光子引擎技術(shù)的 SiPh 硅光子整合。
▲ 未來的 HPC / AI 芯片需要復(fù)雜的整合集成
此外臺積電也公布了用于 AI 的新型集成型電壓調(diào)節(jié)器 / 穩(wěn)壓器 IVR。與電路板上的獨立電源管理芯片 PMIC 相比，IVR 具備 5 倍的垂直功率密度傳輸。
本站內(nèi)容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉(zhuǎn)載內(nèi)容只為傳遞更多信息，并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉(zhuǎn)載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權(quán)歸版權(quán)所有權(quán)人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內(nèi)容無法一一聯(lián)系確認版權(quán)者。如涉及作品內(nèi)容、版權(quán)和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經(jīng)濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。