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消息稱三星電子正推動DRAM制程升級

多款1y nm DDR4內存條年底EOL
2025-04-22
來源:IT之家
關鍵詞: 三星 DRAM DDR4 內存

4 月 22 日消息,臺媒《電子時報》今日稱,隨著三星電子推動 DRAM 內存制程工藝的策略性轉換升級,多款采用老舊 1y nm(第二代 10nm 級)工藝 DRAM 顆粒的 DDR4 模組(內存條)即將停產。

具體來看,多家供應鏈企業反饋收到產品 EOL(注:生命周期結束)通知函,多款 8GB 或 16GB 容量 DDR4 SODIMM / UDIMM 內存條的最后訂購日期是今年 6 年上旬,2025 年 12 月 10 日完成最后出貨。

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報道指出,三星電子正快速推動傳統 DRAM 內存產線向 DDR5、HBM 等較新產品的轉換,而這也意味著與老舊制程關系密切的 DDR3、DDR4 逐步停產。

據悉三星電子已于 2024 年第二季度停產 DDR3;1y nm DDR4 產能在整體中的占比將快速從去年的 20% 上下削減至今年下半年的不足一成;再下一代的 1z nm DDR4 預計將在 2027 年停產。


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