4 月 8 日消息，德國鐵電存儲(chǔ)器公司（FMC）宣布與半導(dǎo)體企業(yè) Neumonda 達(dá)成戰(zhàn)略合作，將在德國德累斯頓建立新型非易失性存儲(chǔ)芯片（FeRAM）生產(chǎn)線。

這是繼 2009 年英飛凌、奇夢(mèng)達(dá)德國 DRAM 工廠破產(chǎn)關(guān)停后，歐洲首次嘗試重啟存儲(chǔ)芯片本土化生產(chǎn)。

雙方此次合作的核心是 FMC 研發(fā)的 "DRAM+" 技術(shù)。該技術(shù)采用 10nm 以下制程兼容的鉿氧化物（HfO?）作為鐵電層，替代傳統(tǒng)鋯鈦酸鉛 PZT 材料，存儲(chǔ)容量從傳統(tǒng) FeRAM 的 4-8MB 提升至 Gb-GB 級(jí)別，同時(shí)保持?jǐn)嚯姴粊G失數(shù)據(jù)的特性。

注：FeRAM 類似于 SDRAM，是一種隨機(jī)存取存儲(chǔ)器技術(shù)。它使用了一層有鐵電性的材料，取代原有的介電質(zhì)，因此也擁有了非揮發(fā)性內(nèi)存的功能。

FMC 首席執(zhí)行官 Thomas Rueckes 解釋稱：“鉿氧化物的鐵電效應(yīng)將 DRAM 電容轉(zhuǎn)變?yōu)榉且资源鎯?chǔ)單元，在保持高性能的同時(shí)實(shí)現(xiàn)低功耗，特別適合 AI 運(yùn)算的持久內(nèi)存需求。”

合作雙方將依托 Neumonda 開發(fā)的 Rhinoe、Octopus、Raptor 三大測(cè)試系統(tǒng)，構(gòu)建從研發(fā)到量產(chǎn)的完整鏈條。

Neumonda 首席執(zhí)行官 Peter Poechmueller 表示：“我們的終極目標(biāo)是重建德國的存儲(chǔ)芯片產(chǎn)業(yè)，本次合作邁出了關(guān)鍵一步。”