2 月 21 日消息，應(yīng)用材料（Applied Materials）公司于 2 月 19 日發(fā)布博文，宣布推出新型芯片檢測設(shè)備 SEMVision H20，速度提升三倍，助力提升先進(jìn)制程芯片良率。

技術(shù)背景

注：電子束成像技術(shù)一直是檢測光學(xué)技術(shù)無法識別的微小缺陷的重要工具。其超高分辨率能夠在數(shù)十億個納米級電路圖案中分析最細(xì)微的缺陷。

傳統(tǒng)上，光學(xué)技術(shù)用于掃描晶圓以查找潛在缺陷，然后使用電子束技術(shù)對這些缺陷進(jìn)行更詳細(xì)的表征。

在新興的“埃米時代”，最小的芯片特征可能只有幾個原子厚，區(qū)分真正的缺陷和誤報變得越來越困難。

SEMVision H20 創(chuàng)新

SEMVision H20 采用第二代冷場發(fā)射電子顯微鏡技術(shù)（CFE）技術(shù)，分析速度是熱場發(fā)射（TFE）設(shè)備的三倍，也是第一代 CFE 技術(shù)的兩倍。

應(yīng)用材料的“冷場發(fā)射”（CFE）技術(shù)是電子束成像領(lǐng)域的一項(xiàng)突破，可實(shí)現(xiàn)亞納米級分辨率，用于識別最小的隱藏缺陷。相比于傳統(tǒng)的熱場發(fā)射（TFE）技術(shù)，CFE 在室溫下運(yùn)行，產(chǎn)生更窄、電子更多的電子束，從而使納米級圖像分辨率提高多達(dá) 50%，成像速度提高多達(dá) 10 倍。

更快的成像速度提高了每個晶圓的覆蓋率，使芯片制造商能夠在三分之一的時間內(nèi)收集相同數(shù)量的信息。

該設(shè)備使用更窄的電子束，讓其能夠深入芯片底部進(jìn)行檢測，對于 2 納米以下先進(jìn)邏輯芯片、高密度 DRAM 和 3D NAND 至關(guān)重要。

隨著芯片制程不斷推進(jìn)，光學(xué)檢測技術(shù)逐漸難以滿足需求，電子束檢測的應(yīng)用范圍正在擴(kuò)大。SEMVision H20 能夠滿足先進(jìn)制程芯片的檢測需求，例如 2 納米以下邏輯芯片、高密度 DRAM 和 3D NAND。

SEMVision H20 還使用深度學(xué)習(xí) AI 算法，能分析趨勢，找出真正的缺陷，最終提高芯片制造商的良率。應(yīng)用材料專有的深度學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò)使用來自芯片制造商工廠的數(shù)據(jù)進(jìn)行持續(xù)訓(xùn)練，并將缺陷分類到包括空洞、殘留物、劃痕、顆粒和其他數(shù)十種缺陷類型的分布中，從而實(shí)現(xiàn)更準(zhǔn)確、更高效的缺陷表征。

SEMVision H20 可用于所有前端工藝。這款設(shè)備的推出，標(biāo)志著芯片檢測技術(shù)的一大進(jìn)步，將有助于推動先進(jìn)制程芯片的研發(fā)和生產(chǎn)。