12月30日消息，據(jù)臺(tái)媒《自由財(cái)經(jīng)》報(bào)道，臺(tái)積電位于亞利桑那州鳳凰城的晶圓廠第一階段（P1 1A）廠區(qū)將于近期準(zhǔn)備 4nm 制程投片量產(chǎn)，最快有望于 2025 年一季度末實(shí)現(xiàn)產(chǎn)出，初期月產(chǎn)能可達(dá) 1 萬片晶圓，蘋果、英偉達(dá)、AMD 和高通等美國廠商將有望成為首批客戶。

報(bào)道稱，臺(tái)積電亞利桑那晶圓廠 P1 1A 目前已通過客戶產(chǎn)品驗(yàn)證，有望于2025年中達(dá)到設(shè)計(jì)的每月 2 萬片的滿載產(chǎn)能；第二階段 P1 A2 則也已完成建筑建設(shè)，目前正處于設(shè)備導(dǎo)入階段，預(yù)計(jì)2025年一季度完成設(shè)備安裝工作，2025 年中開始投片。

臺(tái)積電美國亞利桑那州晶圓廠建設(shè)此前就曾由于缺乏熟練工人等問題，導(dǎo)致進(jìn)度已經(jīng)延后。其中，4nm制程的晶圓一廠量產(chǎn)時(shí)間從2024年推遲到2025年。原定于2026年開始量產(chǎn)3nm的晶圓二廠，也推遲到了2028年才會(huì)量產(chǎn)。兩座晶圓廠完工后，合計(jì)將年產(chǎn)超過60萬片晶圓，換算至終端產(chǎn)品市場價(jià)值預(yù)估超過400億美元。至于后來宣布的第三座晶圓廠，預(yù)計(jì)將在21世紀(jì)20年代末（2029～2030年），采用2nm或更先進(jìn)的制程技術(shù)進(jìn)行芯片生產(chǎn)。

為了推動(dòng)臺(tái)積電在美國建設(shè)這三座晶圓廠，美國商務(wù)部還依據(jù)《芯片與科學(xué)法案》向其提供了66億美元的補(bǔ)貼。不過，即便如此，臺(tái)積電美國晶圓廠的生產(chǎn)成本也要遠(yuǎn)遠(yuǎn)高出中國臺(tái)灣。

麥格理銀行此前就曾發(fā)布報(bào)告指出，當(dāng)臺(tái)積電開始準(zhǔn)備其亞利桑那州工廠生產(chǎn) 4nm 芯片時(shí)，它找不到合格的美國化學(xué)品供應(yīng)商。因此，該公司不得不通過昂貴的流程從中國臺(tái)灣運(yùn)輸化學(xué)品，這導(dǎo)致硫酸等化學(xué)品的運(yùn)輸成本高于化學(xué)品本身的成本。

臺(tái)積電創(chuàng)始人張忠謀（Morris）早在2021年就曾表示，美國制造芯片的成本會(huì)高于中國臺(tái)灣，甚至可能會(huì)高出60%，他還補(bǔ)充說，美國提供的“芯片法案”補(bǔ)貼只能提供短期的緩解，因?yàn)橹袊_(tái)灣將通過其成本和勞動(dòng)力優(yōu)勢長期處于領(lǐng)先地位。

近日，韓聯(lián)社也報(bào)道稱，臺(tái)積電亞利桑那州晶圓廠的芯片生產(chǎn)成本將比中國臺(tái)灣高出30%，這主要是由于美國缺乏所需材料以及美國半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的薄弱。

相比之下，臺(tái)積電在日本熊本的晶圓廠卻進(jìn)展神速，開工時(shí)間比臺(tái)積電美國亞利桑那州晶圓廠更晚，但近日該晶圓廠已經(jīng)正式開始量產(chǎn)。并且，得益于亞洲地區(qū)強(qiáng)大的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈，該晶圓廠的芯片生產(chǎn)成本也僅比比中國臺(tái)灣仍高出 10%，當(dāng)然這一事實(shí)也可能受到舊工藝技術(shù)的影響。