2024年11月12日 ， 無晶圓廠環(huán)保科技半導體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD今日與全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案提供商Qorvo? (納斯達克股票代碼: QRVO)合作推出 PAC5556A+ICeGaN?評估套件（EVK），將行業(yè)領(lǐng)先的電機控制和能效技術(shù)整合在一起。該EVK具有Qorvo的高性能無刷直流（BLDC）/永磁同步（PMSM）電機控制器/驅(qū)動器和CGD易于使用的ICeGaN IC性能，顯著改善了電機控制應用。
andrea BricConi | CGD首席營銷官
“通過將我們兩家技術(shù)強大的公司的行業(yè)領(lǐng)先解決方案結(jié)合到這款EVK中，我們能夠開發(fā)出緊湊、節(jié)能、高功率密度的系統(tǒng)。與其他GaN器件不同，ICeGaN技術(shù)可以輕松地與Qorvo的PAC5556A電機控制IC實現(xiàn)無縫對接，在BLDC和PMSM應用中提高性能。”
JEff Strang | Qorvo功率管理事業(yè)部總經(jīng)理
“氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）等寬禁帶半導體因憑借其更高的功率密度和效率優(yōu)勢而被積極用于各種電機控制應用中。CGD的 ICeGaN 產(chǎn)品提供了易用性和可靠性，這些是電機控制和驅(qū)動設計師關(guān)心的兩個關(guān)鍵因素。當我們的客戶在體驗到CGD的ICeGaN與我們高度集成的PAC5556A 600V BLDC電機控制解決方案相結(jié)合的功率時，他們反應相當熱烈。”
通過采用CGD最新一代P2 IC，配備240 m? ICeGaN的PAC5556AEVK2評估套件在沒有散熱器的情況下實現(xiàn)了高達400W的峰值性能，而配備55 m? ICeGaN的PAC 5556AEVK3在最小氣流冷卻的情況下達到了800W的峰值。ICeGaN的效率實現(xiàn)了降低功耗和提高了電源可用性，并最大限度地降低了溫度，從而實現(xiàn)了更小、更可靠的系統(tǒng)。由于ICeGaN集成了基本的電流感測和米勒箝位元件，因此簡化了柵極驅(qū)動器設計，降低了BOM成本。這使得該解決方案易于實施、價格具有競爭力、性能也更高。
PAC5556A+CGD GaN EVK在低速時提供更高的扭矩和精確的控制，使其成為白色家電、吊扇、冰箱、壓縮機和泵的理想選擇。其目標市場包括工業(yè)和家庭自動化，特別是在需要緊湊、高效電機控制系統(tǒng)的應用中。PAC5556AEVK2和PAC5556AAVK3可在Qorvo官網(wǎng)采購。CGD將在慕尼黑電子展的展臺展出以上產(chǎn)品，展位號為C3-539。
結(jié)語
關(guān)于 Cambridge GaN Devices
Cambridge GaN Devices (CGD) 致力于 GaN 晶體管和 IC 的設計、開發(fā)與商業(yè)化，以實現(xiàn)能效和緊湊性的突破性飛躍。我們的使命是通過提供易于實現(xiàn)的高能效 GaN 解決方案，將創(chuàng)新融入日常生活。CGD 的 ICeGaN? 技術(shù)經(jīng)證明適合大批量生產(chǎn)，并且 CGD 正在與制造合作伙伴和客戶攜手加快擴大規(guī)模。CGD 是一家無晶圓廠企業(yè)，孵化自劍橋大學。公司首席執(zhí)行官兼創(chuàng)始人 Giorgia Longobardi 博士和 CTO Florin Udrea 教授仍與世界知名的劍橋大學高壓微電子和傳感器研究組 (HVMS) 保持著緊密聯(lián)系。CGD 的 ICeGaN HEMT 技術(shù)背后有不斷擴充的強大知識產(chǎn)權(quán)組合做支撐，這也是公司努力創(chuàng)新的結(jié)晶。CGD 團隊在技術(shù)和商業(yè)方面的專業(yè)知識以及在功率電子器件市場上的大量突出表現(xiàn)，為其專有技術(shù)在市場上的認可程度奠定了堅實的基礎(chǔ)。欲了解更多信息，請訪問
https://camgandevices.com/zh/。
