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三星被曝最快2024年底前開始安裝首臺ASML High-NA EUV光刻機

2024-08-16
來源:IT之家

韓媒8月15日報道,三星將于 2024 年第 4 季度至 2025 年第 1 季度期間,安裝首臺來自 ASMLHigh-NA EUV 光刻機,并預估 2025 年年中投入使用。

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報道稱三星將在其華城園區內安裝首臺 ASML Twinscan EXE:5000 High-NA 光刻機,主要用于研發目的,開發用于邏輯和 DRAM 的下一代制造技術。

三星計劃圍繞高 High-NA EUV 技術開發一個強大的生態系統:除了收購高 NA EUV 光刻設備外,三星還與日本 Lasertec 公司合作開發專門用于 High-NA 光掩膜的檢測設備。

援引 DigiTimes 報道,三星已經購買了 Lasertec 的 High-NA EUV 掩膜檢測工具 Actis A300。

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三星電子半導體研究所的 Min Cheol-ki 博士在 2024 年光刻與圖案化研討會上表示:“與傳統的 [EUV 專用工具] 相比,使用 [High-NA EUV 專用工具] 檢測半導體掩膜可將對比度提高 30% 以上”。

報道還稱三星還與光刻膠制造商 JSR 和蝕刻機制造商東京電子公司合作,準備在 2027 年之前將高納 EUV 工具投入商業應用。

三星還與新思科技(Synopsys)合作,在光掩膜上從傳統的電路設計轉向曲線圖案。這一轉變有望提高電路壓印在晶片上的精度,這對進一步完善工藝技術至關重要。


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