Vishay推出具有高輻射強度和短開關時間的新型890 nm紅外發(fā)光二極管
高速器件采用表面發(fā)射器芯片技術，優(yōu)異的VF溫度系數(shù)達 -1.0 mV/K
2024-07-24
來源：VISHAY
美國 賓夕法尼亞 MALVERN、中國 上海 — 2024年7月24日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款采用透明無色引線型塑料封裝的新型890nm高速紅外（IR）發(fā)光二極管--- TSHF5211，擴充其光電子產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors TSHF5211基于表面發(fā)射器芯片技術，優(yōu)異的VF溫度系數(shù)達 -1.0 mV/K，輻照強度和升降時間優(yōu)于前代器件。
日前發(fā)布的發(fā)光二極管100 mA驅(qū)動電流下典型輻照強度達235 mW/sr，比上一代解決方案提高50%。器件開關時間僅為15 ns，典型正向電壓低至1.5 V，半強角只有± 10°，適用作煙霧探測器和工業(yè)傳感器的高強度發(fā)光二極管。這些應用中，TSHF5211可與硅光電探測器實現(xiàn)良好的光譜匹配。
器件符合RoHS和Vishay綠色標準，無鹵素，無鉛（Pb），可采用溫度達260°C的無鉛焊接。
TSHF5211現(xiàn)可提供樣品并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨供貨周期為20周。
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