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英飛凌發布采用8英寸晶圓代工工藝制造的新一代CoolGaN晶體管系列

2024-07-10
來源:英飛凌

【2024年7月9日,德國慕尼黑訊】英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)近日推出新一代高壓(HV)和中壓(MV)CoolGaNTM半導體器件系列。這使客戶能夠將氮化鎵(GaN)的應用范圍擴大到40 V至700 V電壓,進一步推動數字化和低碳化進程。在馬來西亞居林和奧地利菲拉赫,這兩個產品系列采用英飛凌自主研發的高性能 8 英寸晶圓工藝制造。英飛凌將據此擴大CoolGaNTM的優勢和產能,確保其在GaN器件市場供應鏈的穩定性。據Yole Group預測,未來五年GaN器件市場的年復合增長率(CAGR)將達到46%。

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英飛凌科技電源與傳感系統事業部總裁Adam White表示:“這兩個系列的發布是建立在英飛凌去年收購GaN Systems的基礎之上,它們將為我們的客戶帶來更高的效率和性能。英飛凌新一代高壓和中壓CoolGaNTM系列展示了我們的產品優勢,并且完全采用8英寸工藝制造,證明了GaN在更大晶圓直徑上的快速擴展能力。我們期待客戶通過這些新一代GaN器件推出各種創新應用。”

全新650 V G5系列適用于消費、數據中心、工業和太陽能領域的應用。該系列產品是英飛凌基于GIT的新一代高壓產品。另一個采用8英寸工藝制造的全新系列是G3中壓器件,覆蓋了60 V、80 V、100 V和120 V的CoolGaNTM晶體管電壓等級,以及40 V雙向開關(BDS)器件。G3中壓產品主要面向電機驅動、電信、數據中心、太陽能和消費應用。

 

供貨情況

CoolGaNTM 650 V G5將于2024年第四季度上市,CoolGaNTM G3中壓產品將于2024年第三季度上市。樣品現已開始供應。

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