2024年6月18日，致力于亞太地區(qū)市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下詮鼎推出基于英諾賽科（Innoscience）InnoGaN INN700D140C和INN700DA140C芯片的300W電源適配器方案。
圖示1-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的300W電源適配器方案的展示板圖
隨著移動設備對于充電速度和充電效率的需求不斷提升，氮化鎵（GaN）技術在電源適配器領域的應用日益廣泛。與傳統(tǒng)的硅（Si）相比，GaN作為第三代半導體材料具有更寬的間隙和更高的擊穿電壓，因而能夠在緊湊的空間體積內(nèi)提供更高的功率密度。針對這一特點，大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience InnoGaN INN700D140C和INN700DA140C芯片推出300W電源適配器方案，可為用戶帶來高效、輕便的充電體驗。
圖示2-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的300W電源適配器方案的場景應用圖
INN700D140C和INN700DA140C均耐壓為700V的增強型氮化鎵晶體管，其中，INN700D140C采用DFN8*8封裝，INN700DA140C采用DFN5*6封裝，兩款器件均適用于高功率應用。它們支持極高的開關頻率，具有零反向恢復電荷，可大幅減少切換損耗，從而提高整體能效。同時，器件擁有極低的柵極電荷和輸出電荷，可進一步優(yōu)化驅(qū)動功率消耗和提升開關效率。
圖示3-大聯(lián)大詮鼎基于Innoscience產(chǎn)品的300W電源適配器方案的方塊圖
本方案應用領域廣泛，不僅可以為手機、平板、筆記本電腦提供快速充電功能，還能夠滿足家庭場景中對高功率設備的充電需求，例如電視、電動工具、游戲機、LED燈和投影儀等。借助INN700D140C和INN700DA140C，方案在提高效率的同時大大減小適配器的體積。與常規(guī)基于Si MOS的設計對比，在相同的300W輸出功率下，本方案可將產(chǎn)品體積縮減30%，功率密度提高8W/in3。
核心技術優(yōu)勢：
同等規(guī)格下功率密度和效率達到業(yè)內(nèi)先進水平；
選用一塊雙面板，加工簡單，為客戶提供低成本設計方案；
開拓大功率氮化鎵電源應用在適配器市場中的應用。
方案規(guī)格：
尺寸：158mm×60.5mm×20mm；
效率：95.72%@230Vac；
功率密度：25.7W/in3。
本篇新聞主要來源自大大通：
基于InnoGaN INN700D140C & INN700DA140C 設計的300W適配器電源方案
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