3 月 21 日消息，據(jù)三星半導體微信公眾號發(fā)布的中國閃存市場峰會 2024 簡報，其正研發(fā) CMM-H 混合存儲 CXL 模組。該模組同時包含 DRAM 內(nèi)存和 NAND 閃存。
注：作為一種新型高速互聯(lián)技術，CXL 可提供更高的數(shù)據(jù)吞吐量和更低的傳輸延遲，可在 CPU 和外部設備間建立高效連接。
根據(jù)三星給出的圖示，這一模組可經(jīng)由 CXL 界面直接在閃存部分和 CPU 之間傳輸塊 I / O，也可經(jīng)由 DRAM 緩存和 CXL 界面實現(xiàn) 64 字節(jié)的內(nèi)存 I / O 傳輸。
CMM-H 模組可實現(xiàn)細粒度訪問，降低 TCO，同時也是可能的持久內(nèi)存選項。
根據(jù)三星展示的路線圖，其計劃在今年上半年制作一款原型 CMM-H 產(chǎn)品。該原型將配備基于 FPGA 的 CXL 1.1 控制器，采用 E3.L 2T 規(guī)格，最大容量 4TB，最大帶寬 8GB/s。
展望未來商用量產(chǎn) CMM-H 模組，其基于 ASIC 的成熟控制器將支持 CXL 3.0 規(guī)范，容量最大可選 16TB，最大帶寬提升至 64GB/s，將于 2026 年準備就緒。
此外，在更傳統(tǒng)的 CXL-D 純內(nèi)存 CXL 存儲模組方面，三星計劃明年一季度出樣 128GB 容量的第二代產(chǎn)品，其采用 1b nm 制程 DRAM 顆粒，速度達 6400MT/s。
明年三星還將豐富第二代 CXL-D 模組產(chǎn)品線，512GB 和 256GB 容量產(chǎn)品隨后跟上。
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