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第一次高NA EUV!Intel 14A工藝密度提升20% 能效提升15%!

2024-03-14
來源:快科技

根據外媒的報道,近日Intel高級副總裁Anne Kelleher在SPIE 2024光學與光子學會議上透露了Intel 14A制程的相關技術細節。

在不久前舉辦的IFS Direct Connect活動中,Intel分享了其“4年5節點”的工藝路線圖的最新進展,并公布了最后一個節點Intel 18A制程之后的計劃,新增了Intel 14A制程技術和數個專業節點的強化版本。

Intel計劃在Intel 14A才導入High-NA EUV曝光設備,在Intel 18A則僅是發展與學習階段。

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近日Intel高級副總裁Anne Kelleher在SPIE 2024光學與光子學會議上透露,Intel 14A將會比Intel 18A制程技術的能耗效率提升15%,而強化版的的Intel 14A-E則會在Intel 14A基礎上帶來額外的5%能耗提升。

與Intel 18A制程技術相較,Intel 14A制程技術的晶體管密度將會提升20%。

按照Intel的計劃,Intel 14A制程技術最快會在2026年量產,而Intel 14A-E制程技術則是要到2027年。

不過,至今Intel都沒有宣布任何采用Intel 14A和Intel 14A-E制程技術的產品。

雖然,Intel在晶圓代工市場視臺積電為競爭對手。

不過,目前來看,其生產的處理器有越來越多的小芯片交由臺積電制造生產,其中還包括最為核心的運算芯片情況下,Intel仍持續會保持與臺積電既競爭,又合作的關系。

報導指出,Intel在2023年6月的代工模式投資者網絡研討會上,介紹了內部晶圓代工業務模式的轉變,從2024年第一季開始將設計與制造業務分離,內部設計部門與制造業務部門之間將建立起客戶與供應商的關系,制造業務部門將單獨運營,且財報獨立。

Intel借此獲得客戶的信賴,希望在2030年之前超越三星,成為晶圓代工領域的第二大廠商。

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