《電子技術(shù)應(yīng)用》
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高通已要求三星、臺(tái)積電提供2nm芯片樣品

用于生產(chǎn)驍龍8G5
2024-02-14
來(lái)源:快科技
關(guān)鍵詞: 高通 2nm 三星 臺(tái)積電

根據(jù)外媒報(bào)道,由于原型芯片組開發(fā)需要 6到12個(gè)月,加上高通希望獲得三星、臺(tái)積電的訂單,已要求這倆半導(dǎo)體代工廠,提供2nm的樣品。

據(jù)了解,性能和提高良率是高通的首要任務(wù),芯片組原型開發(fā)階段目前正在進(jìn)行中。

這一階段幫助公司確定哪些技術(shù)可以用于大規(guī)模生產(chǎn),通常被稱為“多項(xiàng)目晶圓(MPW)”,即在單個(gè)晶圓上創(chuàng)建多個(gè)原型。

據(jù)悉,三星的方案是2nm SF2工藝,根據(jù)線路圖指出,該工藝使用的是GAA MBCFET(全環(huán)繞多橋通道場(chǎng)效應(yīng)晶體管)技術(shù),并將于2025年投入大規(guī)模生產(chǎn),未來(lái)的三星自家Exynos 2600芯片,也會(huì)使用該方案。

而高通用于生產(chǎn)2nm的N2工藝,則在2025年準(zhǔn)備就緒,但考慮到蘋果獨(dú)占這個(gè)因素,會(huì)迫使高通考慮像N4P這樣的舊制程工藝,則會(huì)推遲到2026年。

爆料大神Tech_Reve還認(rèn)為,高通的2nm芯片,很可能是驍龍8 Gen 5,并且會(huì)有兩個(gè)版本:帶Galaxy型號(hào)的驍龍8 Gen 5 將由三星代工廠制造,普通版本將在臺(tái)積電的 N3P 節(jié)點(diǎn)上制造。

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