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消息稱長江存儲正準備下一代3D NAND閃存架構Xtacking 4.0

2023-11-17
作者:汪淼
來源:IT之家
關鍵詞: 長江存儲 閃存架構

據 Tom's Hardware 看到的一份文件顯示,長江存儲正在準備其下一代 3D NAND 閃存架構 ——Xtacking 4.0。該公司沒有計劃增加目前正在開發的兩款 Xtacking 4.0 器件的層數,但隨著時間的推移,該系列可能會變得更廣泛。

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晶棧 Xtacking 是長江存儲核心技術品牌,可實現在兩片獨立的晶圓上加工外圍電路和存儲單元,這樣有利于選擇更先進的邏輯工藝,從而讓 NAND 獲取更高的 I / O 接口速度及更多的操作功能。當兩片晶圓各自完工后,晶棧 Xtacking 技術只需一個處理步驟即可通過數十億根垂直互聯通道(VIA)將兩片晶圓鍵合,合二為一。

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報道稱,長江存儲目前已向一些業內同行披露的 Xtacking 4.0 產品陣容,包括 128 層 X4-9060 3D TLC 和 232 層 X4-9070 3D TLC NAND 器件,這些器件最終可用于構建一些更高端的 SSD。

該公司計劃對兩者都使用串堆疊(string stacking)。因此從技術上來說,它將生產具有 64 和 116 個有源層的 3D NAND 陣列,這使得晶圓廠設備制造商能夠繼續為其提供必要的工具。

目前尚不清楚長江存儲的 Xtacking 4.0 閃存將帶來哪些優勢,但長江存儲通常會在每個新節點上提高數據傳輸速率和存儲密度。



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