12月7日，日本佳能宣布將于2023年1月上旬發(fā)售面向后道工藝的半導(dǎo)體光刻機新產(chǎn)品——i線步進式光刻機“FPA-5520iV LF2 Option”。
據(jù)了解，在半導(dǎo)體芯片的制造工藝中，光刻機負責“曝光”電路圖案。在曝光的一系列工藝中，在硅晶圓上制造出半導(dǎo)體芯片的工藝稱為前道工藝。
保護精密的半導(dǎo)體芯片不受外部環(huán)境的影響，并在安裝時實現(xiàn)與外部的電氣連接的封裝工藝稱為后道工藝。
佳能介紹，新款i線步進式光刻機通過0.8μm的高解像力和拼接曝光技術(shù)，使100 x 100mm的超大視場曝光成為可能，從而實現(xiàn)2.5D和3D技術(shù)相結(jié)合的超大型高密度布線封裝的量產(chǎn)。
和去年4月發(fā)售的前一代產(chǎn)品“FPA-5520iV LF Option”相比，新品能夠?qū)⑾癫钜种浦了姆种灰韵拢晥龀叽缫草^52x68mm大幅增加。
所謂i線也就是光源來自波長365nm的水銀燈，和EUV光刻機使用的13.5nm波長激光等離子體光源區(qū)別明顯。
按照佳能的說法，除芯片精細化以外，封裝的高密度布線也被認為是實現(xiàn)高性能的技術(shù)之一。可以預(yù)見，隨著對更高性能半導(dǎo)體器件的先進封裝需求的增加，后道工藝中的半導(dǎo)體光刻機市場將繼續(xù)擴大。
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