《電子技術(shù)應(yīng)用》
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美國(guó)限制EDA供應(yīng)但又想賺錢(qián),將促使國(guó)產(chǎn)芯片自立自強(qiáng)

2022-08-19
來(lái)源:柏銘007
關(guān)鍵詞: EDA 芯片 集成電路

隨著美國(guó)對(duì)于EDA軟件以及芯片相關(guān)的具體措施推出,業(yè)界發(fā)現(xiàn)這次美國(guó)的芯片限制主要在于先進(jìn)芯片,而對(duì)于成熟工藝并沒(méi)限制,業(yè)界人士認(rèn)為這是為了幫助美國(guó)芯片的銷(xiāo)售所采取的措施,這將促使中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)鏈加快自主研發(fā)。

美國(guó)芯片限制主要有兩條,一條是用于GAAFET結(jié)構(gòu)集成電路所必需的EDA軟件,另一條則是金剛石和氧化鎵為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體材料,這都與當(dāng)下全球正在推進(jìn)的先進(jìn)芯片技術(shù)有關(guān)。

用于GAAFET結(jié)構(gòu)集成電路所必需的EDA軟件,目前應(yīng)用的其實(shí)只有三星,而臺(tái)積電和Intel都預(yù)計(jì)到2024年才會(huì)采用GAAFET結(jié)構(gòu),但是三星采用GAAFET結(jié)構(gòu)的3nm工藝目前只有一個(gè)尚未知道具體名字的客戶(hù),這就意味著全球用到這類(lèi)EDA軟件的芯片企業(yè)非常有限。

按照Intel和臺(tái)積電的量產(chǎn)時(shí)間,那么需要采用基于GAAFET結(jié)構(gòu)進(jìn)行開(kāi)發(fā)的EDA軟件設(shè)計(jì)最快也得到2024年,預(yù)期到時(shí)候Intel、蘋(píng)果、高通、聯(lián)發(fā)科、三星等芯片企業(yè)才會(huì)用到這些EDA軟件。

至于金剛石和氧化鎵半導(dǎo)體材料,目前還在開(kāi)發(fā)當(dāng)中,真正應(yīng)用還要數(shù)年時(shí)間,早前傳出的將獲得美國(guó)巨額補(bǔ)貼的SkyWater就計(jì)劃采用這類(lèi)先進(jìn)半導(dǎo)體材料,據(jù)稱(chēng)SkyWater將建設(shè)一座90nm工藝的工廠(chǎng),但是通過(guò)引入碳納米管等半導(dǎo)體材料可以比7nm工藝生產(chǎn)的硅基芯片還要高50倍性能,可以看出新的半導(dǎo)體材料對(duì)于芯片行業(yè)的巨大影響。

對(duì)于中國(guó)制造業(yè)來(lái)說(shuō),首先的影響就是在2nm及更先進(jìn)工藝芯片方面,國(guó)產(chǎn)芯片未來(lái)數(shù)年如果沒(méi)有研發(fā)出我們的EDA軟件,那么這類(lèi)芯片都將只能采用美國(guó)芯片了,例如旗艦手機(jī)將只能采用高通、聯(lián)發(fā)科的高端芯片,數(shù)據(jù)中心只能采用Intel的服務(wù)器芯片等等,這可以為包括美國(guó)芯片企業(yè)在內(nèi)的高端芯片企業(yè)獲得豐厚的利潤(rùn)。

至于半導(dǎo)體材料,這方面影響可能比較小,雖然SkyWater已計(jì)劃籌建90nm生產(chǎn)線(xiàn),但是籌建生產(chǎn)線(xiàn)需要1-2年時(shí)間,而投產(chǎn)后引入碳納米管等先進(jìn)半導(dǎo)體材料還需要在生產(chǎn)中驗(yàn)證,并對(duì)它進(jìn)行改進(jìn),確認(rèn)可以應(yīng)用于芯片中,才能真正將之變成現(xiàn)實(shí),這個(gè)過(guò)程或許幾年,或許10年。

對(duì)于EDA軟件,目前國(guó)產(chǎn)EDA軟件正在加快推進(jìn)當(dāng)中,在1990年代其實(shí)國(guó)產(chǎn)EDA軟件已取得了一些基礎(chǔ),但是后來(lái)美國(guó)的EDA軟件更成熟、兼容性更好等原因,美國(guó)EDA軟件逐漸壟斷國(guó)內(nèi)市場(chǎng);到了2008年隨著國(guó)內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)逐漸得到重視,國(guó)產(chǎn)EDA軟件再度獲得支持,如今華大九天、概倫電子、中科院等諸多企業(yè)或機(jī)構(gòu)都陸續(xù)研發(fā)出EDA軟件,可以滿(mǎn)足國(guó)內(nèi)當(dāng)前主要以成熟工藝為主的芯片設(shè)計(jì)。

至于先進(jìn)的半導(dǎo)體材料方面,國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)也已取得部分突破,例如第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵已被國(guó)內(nèi)企業(yè)廣泛應(yīng)用于充電芯片方面,第四代半導(dǎo)體材料也有一些技術(shù)成就,今年4月份浙江某大學(xué)的研究機(jī)構(gòu)就公布消息指出通過(guò)采用熔體技術(shù)路線(xiàn)制造出了2英寸的氧化鎵晶圓,此外在石墨烯技術(shù)上也有一些專(zhuān)利,石墨烯技術(shù)正是碳基芯片的一部分,這都說(shuō)明國(guó)內(nèi)企業(yè)和機(jī)構(gòu)在先進(jìn)的半導(dǎo)體材料具有一定的基礎(chǔ)。

可以預(yù)期隨著美國(guó)不斷地加強(qiáng)類(lèi)似的舉措,在當(dāng)前環(huán)境下很可能是同時(shí)采用美國(guó)的EDA軟件和國(guó)產(chǎn)EDA軟件,逐步過(guò)渡到完全采用國(guó)產(chǎn)EDA軟件,國(guó)產(chǎn)EDA軟件將得到國(guó)內(nèi)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)和芯片制造企業(yè)的采用,最終形成我們的體系。

至于先進(jìn)的EDA軟件和半導(dǎo)體材料,可以隨著我國(guó)的芯片制造工藝的逐步推進(jìn)而演進(jìn),那還需要數(shù)年時(shí)間,或許到那時(shí)候我們已有用于先進(jìn)工藝的EDA軟件和半導(dǎo)體材料,到時(shí)候或許美國(guó)已無(wú)法再對(duì)我們的芯片產(chǎn)業(yè)施加影響。



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