三星在2017年前，在芯片代工領(lǐng)域，其實是排第四名的，臺積電、格芯、聯(lián)電都比三星強。

后來三星在2017年時提了一個目標，那就是要超過格芯、聯(lián)電、臺積電，未來要成為全球芯片代工的第一名。

在2018年時，三星成功地超過了格芯、聯(lián)電，排名全球第二，然后三星的目標只有一個，那就是超過臺積電。

但時至今日，三星與臺積電的差距還是相當(dāng)大的，按照2021Q4的數(shù)據(jù)，臺積電的份額為53％，而三星只有17％，臺積電份額約為三星的3倍。

事實上，三星這幾年一直在努力，特別是在5nm、4nm時更是鉚足了勁，還拉攏了高通，意欲與臺積電爭霸一下。

不過，或許因為三星太急于成功了，所以在4nm時陷入了良率困境，按照媒體的說法，三星4nm良率僅為35％，而臺積電可達到70％，是三星的兩倍。

而良率低會造成什么樣的后果？那就是產(chǎn)能太低，成本過高，35％的率良，意味著生產(chǎn)100塊晶圓，其中只有35塊是正常的，另外的65塊用不得。

所以三星晶圓代工的主要客戶正在流失，比如高通，就決定將驍龍8 Gen1訂單轉(zhuǎn)向臺積電生產(chǎn)，后續(xù)3nm芯片也全量委托給臺積電……

對于三星而言，目前GAA技術(shù)的3nm工藝，成為了三星翻身的機會了，如果GAA工藝的3nm表現(xiàn)不給力，那么三星將很難超直臺積電，如果GAA工藝表現(xiàn)給力，那還是有機會的。

GAA技術(shù)真的這么大的魅力？還真的有，詳細的技術(shù)參數(shù)，我多說，我只簡單地講一下，大家就會明白了。

所有的芯片，都要進行通電，然后進行運算，而芯片由幾十上百億晶體管構(gòu)成，而耗電分為兩個部分。

一部分是運算本身產(chǎn)生的耗電，叫動態(tài)功耗。另外一部分則是CMOS晶體管各種泄露電流產(chǎn)生的靜態(tài)功耗（又稱漏電流功耗）。別小看了漏電，在芯片中，這個漏電功耗其實比動態(tài)功耗更大。

而GAA技術(shù)，相比于之前的FinFET技術(shù)，加到晶體管上的電壓變小，這樣導(dǎo)致漏電功率也變小。而功耗變小后，這樣芯片的發(fā)熱會變得更小，芯片的效率更高，性能更棒。

所以如果三星真的在GAA技術(shù)下的3nm上表現(xiàn)給力，那么生產(chǎn)出來的芯片，功耗小、發(fā)熱少，你覺得客戶會不會選擇？畢竟臺積電還在使用FinFET，技術(shù)是真的不如GAA技術(shù)的。