2022年1月5日，致力于亞太地區(qū)市場的領先半導體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NCP51561高壓隔離驅(qū)動器的高頻小型化工業(yè)電源方案。
圖示1-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的高頻小型化工業(yè)電源方案的展示板圖
在“雙碳”話題愈演愈烈的當下，以GaN氮化鎵/SiC碳化硅為材料的功率半導體器件進入了加速發(fā)展車道。GaN和SiC被稱為“寬帶隙半導體（WBG）”，具備耐高溫、耐高壓、高頻率、大功率、抗輻射等優(yōu)異特性，可以幫助產(chǎn)品實現(xiàn)更高的開關效率。據(jù)業(yè)內(nèi)人士介紹，GaN是最接近理想的半導體開關器件，能夠以非常高的效能和高功率密度來實現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換，輕松滿足服務器和云端數(shù)據(jù)中心最嚴格的80+規(guī)范或USB PD外部適配器的歐盟行為準則Tier 2標準。基于此背景，大聯(lián)大世平推出基于onsemi NCP51561的高頻小型化工業(yè)電源方案。
圖示2-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的高頻小型化工業(yè)電源方案的場景應用圖
NCP51561是onsemi推出的一款高壓隔離型雙通道門極驅(qū)動器，具有4.5A源電流和9A灌電流峰值能力。該新器件適用于硅功率MOSFET和基于SiC的MOSFET器件的快速開關，提供短且匹配的傳播延遲。
圖示3-大聯(lián)大世平基于onsemi產(chǎn)品的高頻小型化工業(yè)電源方案的方塊圖
此外，NCP51561還具有兩個獨立的5kVRMS（UL1577級）電隔離門極驅(qū)動器通道，可用作兩個下橋、兩個上橋開關或一個半橋驅(qū)動器，具備可編程的死區(qū)時間。不僅如此，器件的一個使能引腳能同時關斷兩個輸出，且NCP51561提供其他重要的保護功能，如用于兩個門極驅(qū)動器的獨立欠壓鎖定（UVLO）和使能功能。得益于這些出色的功能，可有效提高小型化工業(yè)電源的能源轉(zhuǎn)換效率。
核心技術優(yōu)勢：
·兩個輸出驅(qū)動器擁有獨立UVLO保護；
·輸出電壓為6.5V至30V，具有5V、8V和17V UVLO閾值；
·4A峰值電流源，8A峰值電流吸收；
·150V/ns dV/dt抗擾度；
·36 ns典型傳遞延遲；
·8 ns最大延遲匹配；
·可編程輸入邏輯；
·通過ANB的單或雙輸入模式；
·可編程死區(qū)時間；
·Enable功能；
·隔離與安全：
從輸入到每個輸出的5kVRMS電流隔離和輸出通道之間的1200V峰值差分電壓；
1200V工作電壓（根據(jù)VDE0884?11要求）。
方案規(guī)格：
·雙低側、雙高側或半橋驅(qū)動器；
·輸出電源電壓為6.5V至30V，具有5V、8V和17V UVLO閾值；
·4A峰值電流源，8A峰值電流吸收。
