近日，中國信息通信科技集團光纖通信技術和網(wǎng)絡國家重點實驗室聯(lián)合國家信息光電子創(chuàng)新中心（NOEIC）、鵬城實驗室，在國內(nèi)率先完成1.6Tb/s硅基光收發(fā)芯片的研制和功能驗證，實現(xiàn)了我國硅光芯片技術向Tb/s級的首次跨越，為我國下一代數(shù)據(jù)中心內(nèi)的寬帶互連提供了可靠的光芯片解決方案。

　　光芯片是光通信系統(tǒng)中的關鍵核心器件，硅光芯片作為采用硅光子技術的光芯片，是將硅光材料和器件通過特色工藝制造的新型集成電路。相對于傳統(tǒng)三五族材料光芯片，因使用硅作為集成芯片襯底，硅光芯片具有集成度高、成本低、光波導傳輸性能好等特點。目前，國際上400G光模塊已進入商用部署階段，800G光模塊樣機研制和技術標準正在推進中，而1.6Tb/s光模塊將成為下一步全球競相追逐的熱點。

　　在本次1.6Tb/s硅基光收發(fā)芯片的聯(lián)合研制和功能驗證中，研究人員分別在單顆硅基光發(fā)射芯片和硅基光接收芯片上集成了8個通道高速電光調(diào)制器和高速光電探測器，每個通道可實現(xiàn)200Gb/s PAM4高速信號的光電和電光轉換，最終經(jīng)過芯片封裝和系統(tǒng)傳輸測試，完成了單片容量高達8 * 200Gb/s光互連技術驗證。該工作刷新了國內(nèi)此前單片光互連速率和互連密度的最好水平紀錄，展現(xiàn)出硅光技術的超高速、超高密度、高可擴展性等突出優(yōu)勢，為下一代數(shù)據(jù)中心內(nèi)的寬帶互連提供了可靠的光芯片解決方案，將為超級計算、人工智能等新技術、新產(chǎn)業(yè)蓬勃發(fā)展提供有力支撐。