《電子技術(shù)應(yīng)用》
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臺積電3nm/2nm芯片路線圖基本確定了

2021-10-21
來源:互聯(lián)網(wǎng)亂侃秀
關(guān)鍵詞: 臺積電 3nm 2nm芯片

2018年,臺積電、三星推出7nm芯片,開始領(lǐng)先intel。而到了2020年,臺積電、三星進入了5nm,更是把intel遠遠的甩在身后,一舉奠定了芯片代工(制造)的兩強霸主地位。

而按照臺積電、三星的規(guī)劃,2022年就會推出3nm芯片,而到2024年左右,將會推出2nm芯片,從此全球再無對手。

而隨著2022年越來越近,有關(guān)于3nm的芯片消息也是越來越多,臺積電、三星也是展開了3nm的競爭。畢竟誰先推出,誰的技術(shù)更好,就有可能占領(lǐng)先機。

想當年在14nm FinFET技術(shù)時,三星領(lǐng)先了臺積電推出14nm,而臺積電是16nm,后來三星搶走了蘋果的部分訂單,就給臺積電很大的壓力。

而在3nm時代,三星又故伎重演,想采用GAA技術(shù),領(lǐng)先于臺積電的FinFET技術(shù),甚至還想早于推出3nm技術(shù)。

而在三星的步步緊逼之下,臺積電近日終于也說出了有關(guān)于3nm芯片的情況,也談到了2nm,從臺積電CEO魏哲家講話內(nèi)容來看,3nm、2nm路線基本上是定了。

按照臺積電的說法,3nm會有兩個版,一個是3nm 3 GAE低功耗版,會2022年初量產(chǎn),但是交貨給客戶,可能會到2023年初去了,比預(yù)期的要晚半年左右,所以明年的蘋果A16芯片,未定一定是3nm工藝。

這個低功耗版的3nm芯片,較5nm,晶體管密度增加70%,同等功耗下性能可提升10-15%,同等性能下功耗可降低25-30%。

3nm 3GAP高性能版2023年初量產(chǎn),交貨會到2023年下半年甚至2024年初去了。高性能版可以視為增強版,也就是第二代3nm工藝,會有更好的性能、功耗、良品率,同時設(shè)計和IP上完全兼容N3,2024年量產(chǎn)。

而2nm芯片,預(yù)計會在2025年量產(chǎn),2nm芯片預(yù)計將采用GAAFET(環(huán)繞柵極場效應(yīng)晶體管)技術(shù),不會再采用當前的FinFET技術(shù)了。

當然,在芯片沒有交付之前,一切都是計劃,而有時候計劃趕不上變化,所以最終如何,還是讓時間來證明了。




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