臺積電今天線上舉辦2021年度技術(shù)研討會,公布了未來新工藝進(jìn)展,6nm、5nm、4nm、3nm、2nm都有新消息傳來。
2nm目前是各大半導(dǎo)體巨頭角逐的制高點,IBM甚至已經(jīng)在實驗室內(nèi)搞定,率先公布了2nm芯片,而除了臺積電、三星兩大代工巨頭,歐洲、日本也在野心勃勃地規(guī)劃。
不同于之前世代在相同的基礎(chǔ)架構(gòu)上不斷演進(jìn),臺積電的2nm工藝將是真正全新設(shè)計的,號稱史上最大的飛躍,最大特點就是會首次引入納米片(nanosheet)晶體管,取代現(xiàn)在的FinFET結(jié)構(gòu)。
臺積電表示,納米片晶體管可以更好地控制閾值電壓(Vt)——在半導(dǎo)體領(lǐng)域,Vt是電路運行所需的最低電壓,它的任何輕微波動,都會顯著影響芯片的設(shè)計、性能,自然是越小越好。
臺積電宣稱,根據(jù)試驗,納米片晶體管可將Vt波動降低至少15%。
目前,臺積電的2nm工藝剛剛進(jìn)入正式研發(fā)階段,此前消息是2023年試產(chǎn)、2024年量產(chǎn)。
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