在臺(tái)積電第26屆技術(shù)研討會(huì)中，臺(tái)積電證實(shí)了5nm和6nm制程工藝已經(jīng)進(jìn)入大規(guī)模量產(chǎn)階段。同時(shí)，官方也宣布將在明年推出5nm的升級(jí)版本。此外，更為先進(jìn)的3nm和4nm工藝也已經(jīng)在研發(fā)之中。4nm制程是5nm改進(jìn)后的最終版本，而3nm才是接替5nm工藝的新一代制程。

從技術(shù)指標(biāo)來(lái)看，3nm工藝（N3）的風(fēng)險(xiǎn)試生產(chǎn)將于明年進(jìn)行，大規(guī)模量產(chǎn)要等到2022年。與5nm相比，3nm能夠在性能提高10％－15％的同時(shí)，減少25％－30％的能耗。 4nm（N4）的風(fēng)險(xiǎn)試生產(chǎn)也計(jì)劃于明年進(jìn)行，也是從2022年開(kāi)始量產(chǎn)。對(duì)于臺(tái)積電的5nm客戶來(lái)說(shuō)，他們向4nm的過(guò)渡將會(huì)極其流暢，這也意味著流片成本的大大降低。

當(dāng)然，臺(tái)積電并非唯一的3nm制造商，它的老對(duì)手三星也正加快研發(fā)腳步，希望在明年推出3nm制程。從核心技術(shù)來(lái)看，三星的3nm制程將會(huì)轉(zhuǎn)向柵極全包圍（Gate－All－Around），而臺(tái)積電則會(huì)堅(jiān)持采用FinFET技術(shù)。

與此同時(shí)，臺(tái)積電也正在為2nm制程工藝建立新的研發(fā)中心，屆時(shí)將有8000名工程師在此一同攻克2nm工藝。研發(fā)中心的具體位置暫時(shí)還不得而知，不過(guò)2nm晶圓廠的選址已經(jīng)定為臺(tái)灣新竹市。

今年，得益于訂單的巨大增長(zhǎng)，臺(tái)積電已經(jīng)投資了數(shù)百億新臺(tái)幣用于購(gòu)置土地，以擴(kuò)大工廠產(chǎn)能。對(duì)于新制程工藝的研發(fā)來(lái)說(shuō)，這些投資也是必要的。目前，不管是對(duì)于三星還是臺(tái)積電，3nm都已經(jīng)觸手可及，最后一步就是要為實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)建立晶圓廠，而這一步則取決于投資有效性。